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型号：<b class='flag-s-7'>BSC035N04</b>LS G-VB 品牌：微碧

### 产品简介BSC035N04LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8(5x6)。它提供优异的电流承载能力和低导通电阻，适合于高效率电源管理和电流控制

2025-01-08 15:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>BSC050N04</b>LS G-VB 品牌：微碧

### 产品简介BSC050N04LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8(5x6)。它提供了良好的电流承载能力和适中的导通电阻，适合用于高效率电源管理和开关

2025-01-08 16:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>BSC016N04</b>LS G-VB 品牌：微碧

### 产品简介BSC016N04LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8(5x6)。它具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于需要高效率和高电流的应用，如电源

2025-01-08 15:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>BSC030N04</b>NS G-VB 品牌：微碧

### 产品简介BSC030N04NS G-VB是一款高性能单管N沟道MOSFET，采用DFN8 (5x6)封装。该MOSFET具备40V的漏极-源极耐压、20V的栅极-源极耐压以及3V的门槛电压

2025-01-08 15:50 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>BSC010N04</b>LSATMA1 品牌：英飞凌

ParametricsBSC010N04LSBudgetary Price €/1k0.78 Ciss6800 pFCoss1900 pFID (@25°C

2022-11-03 10:00 贝能国际有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>BSC059N04</b>LS G-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介BSC059N04LS G-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用DFN8(5x6)封装，设计用于低电压和高电流应用。该MOSFET 使用Trench技术，提供了极低的导

2025-01-08 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>LSI</b>00407 品牌：

LSI00407 产品概述 LSI00407 是一款高性能的 RAID 控制器，由 Broadcom Corporation 生产，型号为 LSI RAID SAS 9341-8i。这款

2025-02-11 20:05 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>BSC093N04</b>LS G-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介BSC093N04LS G-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用DFN8(5x6)封装，专为低电压高电流应用设计。该MOSFET 使用Trench技术，提供极低的导通电

2025-01-08 17:14 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>BSC019N04</b>NS G-VB 品牌：微碧

### 产品简介**BSC019N04NS G-VB** 是一款高性能单 N-Channel MOSFET，封装形式为 DFN8(5x6)。这款 MOSFET 采用 Trench 技术，具有非常低

2025-01-08 15:32 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>BSC054N04</b>NS G-VB 品牌：微碧

### 产品简介**BSC054N04NS G-VB** 是一款高性能单 N-Channel MOSFET，封装形式为 DFN8(5x6)。该 MOSFET 采用 Trench 技术，具有低导通电

2025-01-08 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号