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型号：<b class='flag-s-7'>8N80K5</b>-VB TO220 品牌：微碧

### 8N80K5-VB MOSFET 产品简介8N80K5-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装，适用于高电压和高功率应用场合。它具有优良的漏源电压承受能力和适中的导通电阻，适合

2024-11-22 16:56 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>i.MX8</b>M 品牌：武汉万象奥科

Cortex-A53核心模块|i.MX8M四核1.5GHz基于NXP(Freescale) i.MX8M系列Cortex-A53高性能处理器设计，支持硬件加密，支持摄像头接口、H.265视频硬件

2022-02-25 11:05 武汉万象奥科 企业号

型号：52<b class='flag-s-7'>N25M5</b>-VB QFN<b class='flag-s-7'>8</b>(<b class='flag-s-7'>5</b>X6) 品牌：微碧

### 产品简介52N25M5-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 DFN8(5X6) 封装，具有高电压承受能力和低导通电阻，适合需要高效能和紧凑空间的功率管

2024-11-14 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：22<b class='flag-s-7'>N</b>10-VB QFN<b class='flag-s-7'>8</b>(<b class='flag-s-7'>5</b>X6) 品牌：微碧

### 22N10-VB QFN8(5X6) 产品简介22N10-VB QFN8(

2024-07-10 10:43 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>8N80K5</b>-VB TO220F 品牌：微碧

### 8N80K5-VB MOSFET 产品简介8N80K5-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术制造，封装为 TO220F。它具有高达800V 的漏源电压

2024-11-22 16:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>8N65M5</b>-VB TO252 品牌：微碧

### 产品简介8N65M5-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO252封装，具有高电压承受能力和稳定的电气特性，适合用于各种中功率电路应用。### 详细参数

2024-11-22 16:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>8N65M5</b>-VB TO220F 品牌：微碧

### 8N65M5-VB MOSFET 产品简介8N65M5-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术制造，封装为 TO220F。它具有高达700V 的漏源电压

2024-11-22 16:28 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AR2400-2500V24<b class='flag-s-7'>i8</b>A 品牌：

Electrical SpecificationsItem No.AR2400-2500V24i8

2022-08-12 13:58 安捷信通讯设备 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>5CEBA4U15I7N</b> 品牌：

5CEBA4U15I7N：高性能电子元器件解析在现代电子技术中，选择合适的电子元器件是设计和开发高性能产品的关键。今天，我们将重点介绍型号为 5CEBA4U15I7N 的电子元器件，分析其产品详情

2024-09-27 16:00 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：NCN<b class='flag-s-7'>8-18GM40-N0-5</b>M 品牌：

参数表节选：的技术参数  NCN8-18GM40-N0-5M通用规格开关功能常闭 (NC)输出类型NAMUR额定工作距离8 mm安装非齐平确保操作距离0 ... 6,48 mm实际工作距离

2022-11-15 09:17 上海冠宁科技发展有限公司 企业号