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型号：AOT<b class='flag-s-7'>210L</b>-VB 品牌：微碧

### 一、AOT210L-VB产品简介AOT210L-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO220封装。该器件设计用于低压高电流应用，具有极低的导通电阻和高电流处理能力，非常适合用于各种

2024-12-09 14:56 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9565<b class='flag-s-7'>BGM</b>-HF-VB 品牌：微碧

### AP9565BGM-HF-VB 产品简介AP9565BGM-HF-VB是一款单P沟道MOSFET，采用SOP8封装。该器件采用Trench技术制造，具有负向漏源电压能力和适中的电流处理能力

2024-12-25 14:00 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP4232<b class='flag-s-7'>BGM</b>-HF-VB 品牌：微碧

### AP4232BGM-HF-VB 产品简介AP4232BGM-HF-VB 是一款双N沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装。它具有低导通电阻和高电流承受能力，适合于需要高效能和高电流驱动

2024-12-18 17:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9565<b class='flag-s-7'>BGM</b>-VB 品牌：微碧

### AP9565BGM-VB 产品简介AP9565BGM-VB是一款单P沟道功率MOSFET，采用先进的Trench技术，适合中功率和高效率的功率管理和开关应用。该器件封装为SOP8，具有良好

2024-12-25 14:02 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP4438<b class='flag-s-7'>BGM</b>-VB 品牌：微碧

### 一、AP4438BGM-VB 产品简介AP4438BGM-VB 是一款单 N-Channel MOSFET，采用SOP8封装。它采用了沟槽（Trench）技术，具有低导通电阻和高电流处理能力

2024-12-19 14:01 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4438<b class='flag-s-7'>BGM</b>-VB 品牌：微碧

### 一、4438BGM-VB 产品简介4438BGM-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装。该产品具有 30V 的漏极-源极电压（VDS）、20V 的栅极-源极电压

2024-11-08 16:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9412<b class='flag-s-7'>BGM</b>-HF-VB 品牌：微碧

### AP9412BGM-HF-VB 产品简介AP9412BGM-HF-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用SOP8封装。这款器件具有出色的导通电阻特性和高电流能力，适用于各种电源管理

2024-12-23 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AOB<b class='flag-s-7'>210L</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介AOB210L-VB 是一款单 N-Channel MOSFET，采用 TO263 封装。该器件设计用于高功率电子系统，具有极低的导通电阻和高电流承载能力，适合要求高效能和高可靠性

2024-12-05 14:50 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP4226<b class='flag-s-7'>BGM</b>-VB 品牌：微碧

### AP4226BGM-VB 产品概述AP4226BGM-VB 是一款高性能双通道 N+N-Channel MOSFET，专为低压高效能应用设计。采用 SOP8 封装，具有较低的导通电阻和高电流

2024-12-18 16:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP4503<b class='flag-s-7'>BGM</b>-HF-VB 品牌：微碧

### AP4503BGM-HF-VB 产品简介AP4503BGM-HF-VB 是一款双N+P沟道MOSFET，采用SOP8封装和沟槽技术制造。该器件结合了N沟道和P沟道的优势，适用于需要同时控制

2024-12-19 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号