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型号：NUC980DK61Y 系列採用 <b class='flag-s-7'>ARM926EJ</b>-S 核心 品牌：

NUC980DK61Y 系列採用 ARM926EJ-S 核心，執行速度高達 300 MHz ，堆疊 64 MB DDR-II 記憶體於同一封裝，提供 128-pin LQFP 封裝，大幅減少 PCB

2022-08-22 17:50 威凯特 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>926</b>AE-VB 品牌：微碧

### 926AE-VB MOSFET#### 一、产品简介926AE-VB 是一款具有双N沟道共源极配置的MOSFET，采用先进的Trench技术制造。该器件设计紧凑，封装为TSSOP8，适合

2024-11-23 14:00 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>926</b>A-VB 品牌：微碧

### 产品简介926A-VB 是一款集成了共源极N+N沟道配置的功率MOSFET，采用TSSOP8封装，具备20V的漏源电压和6.6A的连续漏极电流能力。采用先进的沟槽技术，该器件在低电压

2024-11-23 14:03 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP02N70<b class='flag-s-7'>EJ</b>-HF-VB 品牌：微碧

### AP02N70EJ-HF-VB 产品简介AP02N70EJ-HF-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，封装为TO251。该器件具有700V的漏源极电压和2A

2024-12-13 11:52 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：XQ138F-EVM 品牌：

1 评估板简介基于TI OMAP-L138（定点/浮点DSP C674x+ARM9）+ FPGA处理器的开发板；OMAP-L138是TI德州仪器的TMS320C6748+ARM926EJ-S异构双核

2023-10-12 16:18 星嵌电子 企业号

型号：AP02N70<b class='flag-s-7'>EJ</b>-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介**AP02N70EJ-VB**是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO251封装，适用于高压应用。利用SJ_Multi-EPI技术制造，这款MOSFET具有高电压承受能力和较低

2024-12-13 11:53 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：N9H30F63IEC 品牌：

N9H30F63IEC 系列采用 ARM926EJ-S 核心，执行速度高达 300 MHz ，堆叠 64 MB DDR-II 记忆体於同一封裝，提供 216-pin LQFP 封装，大幅减少 PCB

2022-08-25 14:55 威凯特 企业号

型号：BL200M 品牌：钡铼

型号是本系列比较创新型的型号版本，不但支持MQTT，还支持边缘计算功能，支持WEB配置。，1.1概述   基于强大的32 位ARM926EJ-S™

2022-01-11 11:07 钡铼技术 企业号

型号：NUC972DF61YC 品牌：

NUC972DF61YC 系列采用 ARM926EJ-S 核心，执行速度高达 300 MHz ，堆叠 64 MB DDR-II 记忆体於同一封裝，提供 216-pin LQFP 封装，大幅减少

2022-08-24 22:28 威凯特 企业号

型号：BL200UA 品牌：钡铼

型的型号版本，不但支持OPC UA，还支持边缘计算功能，支持WEB配置。1.1概述   基于强大的32 位ARM926EJ-S™ 微处理器设计，

2022-01-11 10:59 钡铼技术 企业号