LTC®3785 是一款高功率同步降压-升压型控制器，可从高于、低于和等于输出电压的输入来驱动全 N 沟道功率 MOSFET。凭借 2.7V 至 10V 的输入范围，LTC3785 非常适合于各种单
2023-05-25 11:26 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
LTC®3785-1 是一款高功率同步降压-升压型控制器，可从高于、低于和等于输出电压的输入电压来驱动全 N 沟道功率 MOSFET。凭借一个 2.7V 至 10V 的输入范围，LTC3785
2023-05-25 11:18 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### AP60T03AP-VB 产品简介AP60T03AP-VB是一款高性能、低导通电阻的单N通道MOSFET，封装为TO220。采用先进的Trench技术制造，设计用于中高功率电源开关和其他高
2024-12-20 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP85T03AP-VB 产品简介AP85T03AP-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装，具有低导通电阻、高电流承载能力和优秀的功率转换特性。适合于需要高效能和可靠性的功率
2024-12-21 15:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP95T06AGP-VB 产品简介AP95T06AGP-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装。该器件适用于中高功率电源管理和负载开关应用，具有良好的导通特性和稳定性。采用
2024-12-25 15:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP90T03GH-VB 产品简介AP90T03GH-VB 是一款单N通道MOSFET，具有高性能的功率开关特性，适用于各种需要高效能和高可靠性的电源管理和功率控制应用。它采用TO252封装
2024-12-21 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、AP42T03GP-VB产品简介AP42T03GP-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装，设计用于高电流和高效能的应用。该器件具有30V的漏极-源极电压（VDS），采用先进
2024-12-18 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详**AP70T03AP-VB** 是一款单N通道MOSFET，采用TO220封装。它设计用于高电流和高功率的应用，具有低导通电阻和优秀的开关特性。该器件适合需要高效能和可靠性
2024-12-21 13:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP95T06BGP-VB 产品简介AP95T06BGP-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装。该器件采用先进的Trench技术，具有高达60V的漏源电压能力和低导通电
2024-12-25 15:41 微碧半导体VBsemi 企业号
