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型号：9408<b class='flag-s-7'>AGI</b>-VB 品牌：微碧

### 9408AGI-VB MOSFET#### 一、产品简介9408AGI-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO220F 封装。该器件具有 30V 的漏源电压（VDS），最大栅

2024-11-23 14:18 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：DK-SI-<b class='flag-s-7'>AGI</b>027FC 品牌：

DK-SI-AGI027FC 开发板介绍DK-SI-AGI027FC 是一款专为嵌入式系统设计的高性能开发板，适用于多种应用场景，包括工业自动化、物联网和智能设备等。该开发板结合了先进的技术和丰

2024-04-30 11:27 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：9972<b class='flag-s-7'>AGI</b>-VB 品牌：微碧

### 9972AGI-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介9972AGI-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench技术，专为需要高效开关和低导通电

2024-11-26 16:49 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9412<b class='flag-s-7'>AGI</b>-VB 品牌：微碧

### AP9412AGI-VB 产品简介AP9412AGI-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，封装类型为TO220F。该器件采用先进的Trench技术制造，具有极低的导通电阻和高电流处理能力

2024-12-23 16:15 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9412<b class='flag-s-7'>AGI</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介9412AGI-VB 是一款单通道N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装，具备30V的漏源电压和高达140A的连续漏极电流能力。采用先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻和优异

2024-11-23 14:35 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9575<b class='flag-s-7'>AGI</b>-HF-VB 品牌：微碧

### AP9575AGI-HF-VB 产品简介AP9575AGI-HF-VB 是一款单P沟道MOSFET，采用TO220F封装。该MOSFET具备高电压承受能力和低导通电阻，适用于需要负电压控制

2024-12-25 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9972<b class='flag-s-7'>AGI</b>-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介详述：AP9972AGI-VB 是一款单通道 N 沟道场效应管，采用沟道技术制造。其主要特点包括高达60V 的漏源电压（VDS），最大电流能力达到70A。适用于需要中等功率和低

2024-12-26 16:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9992<b class='flag-s-7'>AGI</b>-HF-VB 品牌：微碧

### AP9992AGI-HF-VB MOSFET 产品简介AP9992AGI-HF-VB 是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用TO220F封装。它设计用于高

2024-12-27 14:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9408<b class='flag-s-7'>AGI</b>-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介AP9408AGI-VB是一款单N沟道场效应管（Single-N-Channel MOSFET），采用TO220F封装。该产品基于先进的Trench技术，具有低导通电阻、高电流

2024-12-23 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP99T06<b class='flag-s-7'>AGI</b>-HF-VB 品牌：微碧

### 产品简介详细：AP99T06AGI-HF-VB 是一款单路N沟道场效应管，采用先进的Trench技术制造。它具有高达60V的漏极-源极电压（VDS），适合需要较高电压容忍度的应用。该器件在

2024-12-27 14:54 微碧半导体VBsemi 企业号