与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管的电学特性。
2024-11-04 15:31
CMOS 工艺技术平台的方块电阻的测试结构是NW方块电阻、PW方块电阻、Poly 方块电阻、AA 方块电阻和金属方块电阻，它们的版图尺寸是依据工艺技术平台的设计规则设计的。
2024-11-27 16:03
物理层，UWB通信扩展少量的等效全向辐射功率（EIRP），根据FCC的定义，低于0.56 mW，与其中心频率相比，穿过很宽的频带。这可以从其功率谱密度中计算出，在3.01～10.6 GHz，为75 nW／MHz。UWB的这个定义不仅有高的时间分辨率，也有比窄带系统低的衰落边际。
2021-05-28 10:01
以100W或更高的功率传输，而另一个无线电仅一米（或更短）的距离接收不到100 nW或低约10亿倍的信号。以前的情况就是这样，但混音的新转折是，由于C波段的频率较高，混叠或信号干扰的可能性增加。
2023-06-14 16:14
