A70-1 可级联、低噪声、Hi Dyn RgeA70-1 射频放大器采用分立式混合设计,采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出令人
2023-03-16 13:54 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
A70可级联、低噪声、Hi Dyn RgeA70 射频放大器采用分立式混合设计,采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出令人印象深刻的性能
2023-03-15 17:30 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
A70-3可级联、低噪声、Hi Dyn RgeA70-3 射频放大器采用分立式混合设计,采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出令人印象深刻
2023-03-15 17:19 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
MACOM 的 A70-2 是一款射频放大器,频率为 10 至 250 MHz,增益为 8 dB,噪声系数为 2.2 dB,输出功率为 19 dBm,输出功率为 0.08 W。标签:密封
2022-10-11 16:34 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 70T03-VB MOSFET 产品简介70T03-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220封装。它具有30V的漏源电压和高达70A的漏电流能力,适合中等功率应用场合。采用
2024-11-19 13:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 70N4LLF5-VB MOSFET 产品简介70N4LLF5-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用DFN8(5X6)封装。它具有40V的漏源电压和高达70A的漏电流能力,适合高电流
2024-11-19 13:40 微碧半导体VBsemi 企业号
(VGS,可正负),1.8V的阈值电压(Vth),以及在VGS=10V时的导通电阻(RDS(ON))为17mΩ。其最大漏极电流(ID)为70A,采用Trench技术
2024-11-19 11:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**3N70A-VB MOSFET**The 3N70A-VB is a high-voltage N-Channel MOSFET designed
2024-11-07 16:31 微碧半导体VBsemi 企业号