### 产品简介**85N6F3-VB**是一款单N沟道MOSFET,采用DFN8(5x6)封装,具备优异的导通特性和高电流处理能力。采用了Trench技术,专为高效能和高可靠性的电子应用而设
2024-11-22 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 80N3LLH6-VB DFN8(5X6) MOSFET 产品简介80N3LLH6-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 Trench 技术制造,封装为
2024-11-21 15:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 90N3LLH6-VB MOSFET 产品简介90N3LLH6-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装,适合于要求高功率密度和高效能的
2024-11-22 17:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 155N3H6-VB 产品简介**产品型号**: 155N3H6-VB**封装形式**: TO252**配置**: 单N沟道**主要参数**:- **漏源极电压 (VDS)**: 30V-
2024-07-06 16:03 微碧半导体VBsemi 企业号
下面是关于155N3LH6-VB MOSFET产品的详细信息和应用领域说明:### 155N3LH6-VB 产品简介**型号**: 155N3LH6-VB **封装类型**: TO252
2024-07-06 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、6N62K3-VB TO220F产品简介**6N62K3-VB TO220F**是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用了TO220F封装。该器件具有高耐压、高电流处理能力和低导通电
2024-11-18 15:58 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:SUP85N03-3M6P-GE3-VB丝印:VBM1303品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:N沟道- 额定电压:30V- 最大持续电流:120A- 静态导通电阻 (RDS(ON)):3
2023-12-21 12:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、6N80G-TA3-T-VB产品简介**6N80G-TA3-T-VB**是一款高压单N沟道功率MOSFET,采用了TO220封装。该器件具有优秀的耐压能力和稳定性,适合于需要处理高电压
2024-11-18 16:15 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介#### 95N3LLH6-VB 产品简介95N3LLH6-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。该器件采用了沟槽技术(Trench Technology),具有
2024-11-25 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号