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型号：NDC<b class='flag-s-7'>631</b>N-VB 品牌：微碧

NDC631N-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应管，丝印标识为VB7322。该器件采用SOT23-6封装，具有30V的漏极-源极电压承受能力，6A的漏极电流承受能力，以及RDS(ON)为30m

2024-06-11 15:59 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：W<b class='flag-s-7'>631</b>GG6KB-15 品牌：

1.概述W631GG6KB是一个1G位DDR3 SDRAM，组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达1866 Mb/sec/引脚（DDR3-1866）的高速传输速率，适用于

2024-03-28 14:53 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号

型号：W<b class='flag-s-7'>631</b>GG6LB-12 品牌：

1.概述W631GG6LB是1G位DDR3 SDRAM，组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达1866 Mb/sec/引脚（DDR3-1866）的高速传输速率，适用于各种

2024-03-28 10:48 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号

型号：W<b class='flag-s-7'>631</b>GG6MB-12 品牌：

1.概述W631GG6MB是1G位DDR3 SDRAM，组织为8388608个字 8个银行 16位。该设备实现了高达2133 MT/s（DDR3-2133）的高速传输速率，适用于各种应用。该设备

2024-03-27 18:08 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号

型号：W<b class='flag-s-7'>631</b>GU6MB-12 品牌：

1.概述W631GU6MB是1G位DDR3L SDRAM，组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s（DDR3L-2133）的高速传输速率，适用于各种应用。该

2024-03-28 15:01 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号

型号：W<b class='flag-s-7'>631</b>GU6NB-11 品牌：

1.概述W631GU6NB是1G位DDR3L SDRAM，组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s（DDR3L-2133）的高速传输速率，适用于各种应用。该

2024-03-27 18:25 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号

型号：HTM-<b class='flag-s-7'>631</b> 品牌：

基本说明：实现Modbus总线与3个HART回路上的仪表进行互联通讯。

2023-02-28 11:07 上海泗博 企业号