QFN56 MLP56 MLF56 IC引脚间距0.5mm 编程座 测试座 用于QFN56的IC芯片进行烧写、测试，有中心脚 型号 QFN-
2019-12-13 14:10
TSOP56 IC引脚间距0.5mm 编程座 测试座 老化座 用于TSOP56的IC芯片进行烧写、测试 型号 OTS-56-0.5-003
2019-12-18 11:36
松下在GaN基板产品和Si基板产品方面试制了2.1mm×2.0mm测试芯片做了比较。Si基板产品的导通电阻为150mΩ，GaN基板产品的导通电阻为100mΩ。Qoss方面，Si基板产品为18.3nC
2016-12-12 10:15
GaN近期为何这么火？如果再有人这么问你，你可以这样回答：因为我们离不开电源。
2023-11-02 10:32
TSOP56 IC引脚间距0.5mm 编程座 测试座 老化座 用于TSOP56的IC芯片进行烧写、测试 型号 OTS-56-0.5-01
2019-12-18 11:19
由于GaN在高温生长时N的离解压很高，很难得到大尺寸的GaN单晶材料，因此，为了实现低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人员经过几十年的不断研究，并不断尝试利用不同的外延生长方法在Si
2023-06-10 09:43
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说，理解GaN有可能带来的性能提升，以及某些会随时间影
2015-11-08 18:00
镓(Ga)是一种化学元素，原子序数为31。镓在自然界中不存在游离态，而是锌和铝生产过程中的副产品。 GaN 化合物由镓原子和氮原子排列构成，最常见的是纤锌矿晶体结构。GaN-on-SiC在射频应用中
2017-11-22 10:41
GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有显着差异。
2021-11-17 09:06
GaN-HEMT以高效率提供高射频输出功率而闻名。由于这些特性，这类晶体管可以显著改善微波到毫米波无线电通信和雷达系统的性能。这些HEMTs可用于气象雷达系统、监测和预报局地强降水，以及5G系统，提供毫米波段的通信。
2020-11-29 10:28
