ADCMP567是一款超快型电压比较器,采用ADI公司的专有XFCB工艺制造。该器件的传输延迟为250 ps,过驱消散小于35 ps。过驱消散是对不同过驱条件下传输延迟差异的量度,它是高速比较器的一
2023-06-30 13:53 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 2SJ567-VB MOSFET 产品简介**产品描述:**2SJ567-VB 是一款单通道 P 型 MOSFET,设计用于低功率高压电子应用。该 MOSFET 封装为 TO-252,具有
2024-07-15 16:45 微碧半导体VBsemi 企业号
HMC567LC5是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件在整个频段范围内提供10 dB的小信号转换增益、2.5 dB的噪声系数和35 dB
2025-02-11 15:58 深圳芯领航科技有限公司 企业号
描述 AD567是一款完整的高速12位单芯片数模转换器,内置一个高稳定性嵌入式齐纳基准电压源和一个双缓冲输入锁存器。该转换器采用12个精密、高速、双极性电流导引开关和一个经激光调整的薄膜
2023-12-11 11:01 深圳芯领航科技有限公司 企业号
Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管是一款500W (P3dB) 预匹配分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN on SiC
2024-02-26 19:28 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
Qorvo 的 CMD219C4(GaN) 是一款射频放大器,频率为 4 至 8 GHz,增益为 22.5 dB,噪声系数为 1 dB,P1dB 17 dBm,P1dB 0.05 W。标签:表面贴装
2022-10-11 16:58 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT),采用DFN封装。这些射频晶体管是单级、不匹配晶体管
2024-02-26 19:46 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
Qorvo QPA0001 GaN驱动放大器Qorvo QPA0001 GaN驱动放大器基于SiC工艺0.15µm QGaN15,采用4mmx3mmx0.65mm模制密封QFN封装。  
2023-12-20 16:05 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
QPM1021:高功率GaN放大器模块的理想选择在现代雷达和电子战(EW)系统中,高功率、高效率的放大器模块是实现信号传输和处理的关键。QPM1021作为一款10-12 GHz频段的100瓦特氮化镓
2024-11-11 20:59 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号