电子发烧友

型号：SUD<b class='flag-s-7'>50P04-08-GE</b>3-VB 品牌：微碧

型号 SUD50P0408GE3丝印 VBE2412品牌 VBsemi详细参数说明  类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 65A 导通电阻 10mΩ@10V, 13m

2023-10-28 15:35 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SUD<b class='flag-s-7'>50P04-13L-GE</b>3-VB 品牌：微碧

型号：SUD50P04-13L-GE3-VB丝印：VBE2412品牌：VBsemi参数：- P沟道- 最大耐压：-40V- 最大电流：-65A- 开通态电阻：10mΩ @ 10V, 13m

2023-12-18 11:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SUD<b class='flag-s-7'>50N04-8M8P-4GE</b>3-VB 品牌：微碧

型号：SUD50N04-8M8P-4GE3-VB丝印：VBE1405品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：N沟道- 额定电压：40V- 最大电流：85A- 导通电阻（RDS

2023-12-14 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SUD<b class='flag-s-7'>50P06-15-GE</b>3-VB 品牌：微碧

型号: SUD50P06-15-GE3-VB丝印: VBE2625品牌: VBsemi参数:- 封装: TO252- 沟道类型: P—Channel- 额定电压(V): -60V- 额定电流(A

2023-12-28 11:52 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SQD<b class='flag-s-7'>50P04-09L-GE</b>3-VB 品牌：微碧

### 产品简介SQD50P04-09L-GE3-VB是VBsemi品牌生产的P沟道场效应管（MOSFET），具有高耐压、高电流和低导通电阻等特性。该器件适用于各种功率电子应用，并采用TO252封装

2024-06-24 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：HMC440QS16<b class='flag-s-7'>GE</b> 品牌：

HMC440QS16GE：高性能、宽带射频低噪声放大器HMC440QS16GE是一款高性能的宽带射频低噪声放大器(LNA)，具有出色的线性度、噪声性能和高增益。这款放大器由业界知名的制造商提供，专为

2024-02-16 17:44 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：SUD<b class='flag-s-7'>50P04-23-GE</b>3-VB 品牌：微碧

### 产品简介：SUD50P04-23-GE3-VB是VBsemi品牌生产的P沟道场效应管，适用于各种功率电子应用。它具有-40V的漏极-源极电压承受能力和-65A的漏极电流承受能力，是一款高性能

2024-06-17 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SQD<b class='flag-s-7'>50P06-15L-GE</b>3-VB 品牌：微碧

型号 SQD50P0615LGE3丝印 VBE2625品牌 VBsemi详细参数说明  类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 50A 导通电阻 20mΩ @10V, 25m

2023-11-02 09:28 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SUD<b class='flag-s-7'>50P06-15L-GE</b>3-VB 品牌：

型号  SUD50P0615LGE3丝印  VBE2625品牌  VBsemi参数说明  MOSFET类型  P沟道 额定电压(VDS)  

2023-10-31 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>GE</b>3400-VB 品牌：微碧

**GE3400-VB 详细参数说明:**- 丝印: VB1330- 品牌: VBsemi- 封装: SOT23- 沟道类型: N沟道- 额定电压(VDS): 30V- 最大电流(ID

2024-03-30 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号