AOD442详细参数说明 极性 N沟道 额定电压 60V 额定电流 45A 导通电阻 24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压
2023-10-28 14:14 微碧半导体VBsemi 企业号
微型电路中的ncs4-442+是频率3.3~4.2千兆赫的巴伦,幅值平衡为0.01~0.50分贝,相位平衡为0.16~8.83度,插入损耗为0.28分贝,功率为3瓦。
2023-08-21 16:40 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
以下是D442-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式说明：### 产品简介：D442-VB是VBsemi生产的N沟道场效应管，封装为TO252。具有60V的工作电压、45A的最大
2024-05-30 16:44 微碧半导体VBsemi 企业号
Mini Circuits 的 QCS-442+ 是一款 90 度混合耦合器，频率为 2800 至 4400 MHz，平均功率 15 W，插入损耗 0.5 至 0.9 dB，隔离度 16 至 25
2023-08-18 09:40 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### AOB442-VB 产品简介AOB442-VB 是一款单 N-Channel MOSFET，采用 TO263 封装，适用于高电压和高电流的应用环境。该器件采用了 Trench 技术，具有
2024-12-05 15:40 微碧半导体VBsemi 企业号
HMC442LM1是一款宽带17.5至24 GHz GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，采用SMT无引脚芯片载体封装。 LM1采用真正的表贴宽带毫米波封装，提供低损耗和出色的I/O匹配，并
2025-02-07 14:23 深圳芯领航科技有限公司 企业号
MSS30-442-E45低势垒硅肖特基二极管MACOM 的 MSS30,000 系列肖特基二极管采用专有工艺在 N 型外延基板上制造，可产生业内最高的 FCO。每个二极管的 LO 功率为 -3
2023-02-14 17:08 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 一、产品简介**型号：BUK442-100B-VB**- **封装类型**：TO220- **配置**：单N沟道MOSFET- **技术**：沟槽式BUK442-100B-VB 是一款高性能
2025-01-10 17:26 微碧半导体VBsemi 企业号
HMC442是一款高效的GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为17.5至25.5 GHz。 HMC442提供15 dB增益，饱和功率为+23 dBm，电源电压为+5V (25
2022-12-29 17:18 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
MSS30-442-H40低势垒硅肖特基二极管MACOM 的 MSS30,000 系列肖特基二极管采用专有工艺在 N 型外延基板上制造，可产生业内最高的 FCO。每个二极管的 LO 功率为 -3
2023-02-14 16:43 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
