### 一、AOI409-VB 产品简介AOI409-VB是一款单P沟道MOSFET，采用TO251封装，适合需要负电压操作和高效能转换的电路设计。该器件采用Trench技术，具有低导通电阻和优异
2024-12-06 14:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AOTF409-VB 是一款单路 P 沟道场效应管（P-Channel MOSFET），采用了沟道（Trench）技术。它设计用于需要负电压操作和低导通电阻的应用场合，采用
2024-12-12 17:31 微碧半导体VBsemi 企业号
AOD409 (VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介
2023-12-06 13:41 微碧半导体VBsemi 企业号
ADSP-CM409F混合信号控制处理器集成双通道高精度16位ADC和一个ARM® Cortex-M4TM处理器内核，其浮点运算单元工作于240 MHz的内核时钟频率，集成384KB
2023-07-17 11:47 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 2SJ409S-VB MOSFET 产品简介**产品描述：**2SJ409S-VB 是一款单通道 P 型 MOSFET，专为高效能量管理设计。该 MOSFET 封装为 TO-263，具有优异
2024-07-15 14:44 微碧半导体VBsemi 企业号
HMC409LP4(E)是一款高效率GaAs InGaP HBT MMIC功率放大器，工作频率范围为3.3至3.8 GHz。 该放大器采用低成本、无铅SMT封装。 它采用最少的外部元件，提供31
2022-12-29 10:59 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
处理能力。AUIRLB3034-VB 能够在最大40V的漏源极电压和409A的漏极电流下稳定运行，确保在高功率条件下的出色表现。其设计目标是为高功率电源和电机驱动应
2025-01-06 14:33 微碧半导体VBsemi 企业号
(ON)），在开关操作时能够提供高效能和低热量。其最大漏源电压为40V，漏极电流能力高达409A，非常适合用于高功率电源管理、电动汽车和工业控制等领域。### 详
2025-01-06 16:34 微碧半导体VBsemi 企业号
一.产品前言 多年以来，电力电缆的维护迁移过程中的识别与刺扎，均按照行业标准DL409-91《电业安全工作规程（电力线路部分）》第234条要求
2021-11-29 15:09 武汉华顶电力设备有限公司 企业号
