TTM Technologies 的 C3A50Z4 是一款终端，频率 DC 至 6 GHz、功率 3 W、回波损耗 18 dB、工作温度 -55 至 150 摄氏度。标签：表面贴装、表面贴装终端
2023-08-17 16:58 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
如需查询 XC3S50A-4FTG256C 请回到主页查找联系方式联系黄云艳Xilinx FPGA - 现场可编程门阵列 XC3S50A-4FTG256C制造商: Xilinx产品
2024-09-02 09:31 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 09N50C3-VB 产品简介：09N50C3-VB 是一款单路 N-沟道场效应管，采用 TO220 封装，主要特点包括：- **VDS（漏极-源极电压）**：650V，适用于高压
2024-07-04 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号
TTM Technologies 的 X3C50F1-20S 是一款定向耦合器，频率为 3.6 至 6.3 GHz，耦合 20 dB，耦合变化 ±1.5 dB，方向性 20 dB
2023-08-16 10:18 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
08N50C3-VB是一款TO252封装的单N沟道MOSFET。它具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时的导
2024-07-03 17:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号：32N50C3-VB**32N50C3-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造。该器件封装在TO-247封装中，具有500V的漏源
2024-11-06 11:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 21N50C3-VB TO247 产品简介21N50C3-VB TO247 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET，设计用于要求高电压和高电流的应用。采用了 SJ_Multi-EPI 技术
2024-07-09 17:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 16N50C3-VB TO220F 产品简介VBsemi的16N50C3-VB TO220F是一款高性能单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有较高的漏源电压和较低的导通电阻。这款
2024-07-08 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 08N50C3-VB 产品简介：08N50C3-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装为 TO220F。该器件具有高达 650V 的漏极-源极电压（VDS），30V 的栅极-源极
2024-07-03 17:35 微碧半导体VBsemi 企业号
TTM Technologies 的 C50A50Z4 是一款终端，频率 DC 至 2.7 GHz、功率 50 W、回波损耗 24 至 26 dB、工作温度 -55 至 125 摄氏度。标签：表面贴
2023-08-17 17:02 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
