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2024-07-15 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
LM199 / LM399 高精度并联基准在很宽的电压、温度和工作电流范围内拥有卓越的温度稳定性。一个稳定加热器和有源齐纳二极管一起整合在一个单片式衬底上,从而几乎消除了电压随温度而发生
2023-06-27 15:27 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### IPD50R399CP-VB MOSFET 产品简介IPD50R399CP-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高电压应用设计。该 MOSFET 支持高达
2025-08-27 10:54 微碧半导体VBsemi 企业号
**2SJ399-VB**- **品牌:** VBsemi- **封装:** SOT23**参数:**- **沟道类型:** P—Channel- **最大漏极电压(VDS):** -30V-
2025-08-08 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**5R399P-VB TO252**是一款高性能单N沟道功率MOSFET,设计用于中高电压和中等电流的应用场合。采用TO252封装,具有优良的功率处理能力和稳定性,适用于各种功率
2024-11-15 16:44 微碧半导体VBsemi 企业号
一、IPW50R399CP-VB 产品简介IPW50R399CP-VB 是一款高性能 N 型功率 MOSFET,采用 TO247 封装,专为高电压和高电流应用设计。这款 MOSFET 具备 500V
2025-09-02 10:46 微碧半导体VBsemi 企业号
**2SJ399-VB**- **丝印:** VB2355- **品牌:** VBsemi- **封装:** SOT23**参数:**- **沟道类型:** P—Channel- **最大漏极电压
2024-03-25 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:5R399P-VB**5R399P-VB 是一款高压单N沟道功率MOSFET,采用Plannar技术,具备优秀的电气特性和可靠性。该型号适用于需要高电压和中等电流承载能力
2024-11-15 16:37 微碧半导体VBsemi 企业号
2SK2980ZZ-TR-E-VB 品牌: VBsemi**详细参数说明:**- 封装类型:SOT23- 沟道类型:N—Channel- 最大漏极电压:30V- 最大漏极电流:6.5A-
2025-08-08 17:36 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号: K2980ZZ-TR-E-VB丝印: VB1330品牌: VBsemi封装: SOT23参数:- 沟道类型: N—Channel- 额定沟道电压: 30V- 额定电流: 6.5A- 开通
2024-03-21 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号