图5-34所示为PW方块电阻的版图，图5-35所示为它的剖面图。PW方块电阻是通过DNW 隔离衬底（P-sub），如果没有DNW的隔离，这个PW 方块电阻会与 P-sub短路。
2024-11-29 11:05
使用如ADI公司提供的高精度、低噪声、高速A/D转换器，例如用于ADMX3652模块中的器件，这类芯片专为高分辨率测量系统设计，能够满足六位半电压测量所需的精度指标。
2024-03-13 14:36
： c:krcutilkrcuserpwchangepwd.exe/u=“kukauser”/op=“OLD_PW”/p=“NEW_PW”/cp 输入当前密码而不是OLD_PW，并输入所需的新密码
2023-10-27 17:15
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管的电学特性。
2024-11-04 15:31
任何太阳能电池板的一个重要特性是其可在一个相对恒定的工作电压 ( VMP) 下实现峰值功率输出，这与照明水平无关。LT3652 2A 电池充电器充分利用了这一特性，以通过实施输入电压调节来把
2014-03-17 11:26
CMOS 工艺技术平台的方块电阻的测试结构是NW方块电阻、PW方块电阻、Poly 方块电阻、AA 方块电阻和金属方块电阻，它们的版图尺寸是依据工艺技术平台的设计规则设计的。
2024-11-27 16:03
任何太阳能电池板的一个重要特性是其可在一个相对恒定的工作电压 (VMP) 下实现峰值功率输出，这与照明水平无关 (见图 2)。LT3652 2A 电池充电器充分利用了这一特性，以通过实施输入电压调节
2013-11-04 10:51
阻的下降越明显，使其在中低功率水平下的高速运行非常适合。充电器芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PW电源管理芯片，内置1.9Ω/630V的超结硅功率MOS。
2024-11-27 09:28
与电压之间存在一定的关系。在PWM信号周期内，占空比的变化会导致电平高电平时长的变化。当占空比较小时，高电平时长较短，对应的平均电压也相对较低；而当占空比较大时，高电平时长较长，对应的平均电压也相对较高。因此，可以认为PW
2024-02-02 17:17
