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型号：BSC<b class='flag-s-7'>360N</b>15NS3 G-VB 品牌：微碧

### 产品简介BSC360N15NS3 G-VB 是一款高电压 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8(5x6)。它能够承受高达 150V 的漏源电压，并提供稳定的电流处理能力，适合

2025-01-09 10:53 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>360N</b>15NS3-VB 品牌：微碧

### 产品简介360N15NS3-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 DFN8(5X6) 封装。具有 150V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS），阈值电压为 3V

2024-11-06 14:53 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：TRC<b class='flag-s-7'>360</b> TBK<b class='flag-s-7'>360</b> ScanStation 品牌：

莱克RTC360 3D现实捕获解答授权用户提供和夺取他们的在3D的环境，改进效率和生产力在领域和在办公室通过快速，方便操作，准确和便携式的硬件和软件。RTC360 3D激光扫描器是发现的专家的解答能

2023-01-05 13:59 鸿承仪器 企业号

型号：20<b class='flag-s-7'>N60S5</b>-VB TO263 品牌：微碧

### 一、20N60S5-VB产品简介20N60S5-VB是VBsemi公司推出的一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有高电压和高电流处理能力。该器件设计用于要求高电压

2024-07-09 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：US<b class='flag-s-7'>5S</b>102/US<b class='flag-s-7'>5S</b>103/US<b class='flag-s-7'>5S</b>104 品牌：

US5S102/US5S103/US5S104是一款高性能、低偏斜时钟扇出缓冲器，此缓冲器可将一路单端输入分配到2路（US5S102）、3路（US

2021-11-15 11:34 南京极景微半导体有限公司 企业号

型号：20<b class='flag-s-7'>N60S5</b>-VB TO220 品牌：微碧

### 20N60S5-VB 产品简介**20N60S5-VB** 是一款单极性 N-Channel MOSFET，采用 TO220 封装，具有高电压和高电流处理能力。它采用

2024-07-09 16:02 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：07<b class='flag-s-7'>N60S5</b>-VB TO251 品牌：微碧

### 一、07N60S5-VB 产品简介07N60S5-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用先进的SJ_Multi-EPI技术制造。该器件封装为TO251，具备卓越的电气特性，适用于各种

2024-07-03 15:19 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：04<b class='flag-s-7'>N60S5</b>-VB TO220 品牌：微碧

**产品简介：**VBsemi的04N60S5-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术，适用于各种应用。该器件具有高漏极电压、低导通电阻和低门极电压等特点，适用于要求高效率和高电压的电源

2024-07-02 16:06 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：47<b class='flag-s-7'>N60S5</b>-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介47N60S5-VB是VBsemi公司推出的高压N沟道MOSFET，采用TO247封装。它具有650V的漏源电压（VDS），适用于要求高电压和高电流承载能力的电源开关和功率管

2024-11-11 17:04 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：20<b class='flag-s-7'>N60S5</b>-VB TO247 品牌：微碧

### 一、产品简介20N60S5-VB TO247 是 VBsemi 生产的一款高性能单N沟道MOSFET，封装为TO247，适用于高压、高功率的电源开关和电机驱动等应用。采用多重外延结构

2024-07-09 16:03 微碧半导体VBsemi 企业号