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2024-06-11 13:59 微碧半导体VBsemi 企业号
                                                                                                
                                                                    概述 ME3121是一款高效率的同步整流降压DC-DC转换器芯片,输入电压最高可达40V,内部集成两颗低导通电阻的NMOSFET功率开关,低侧开关导通电阻170mQ,高侧开关导通电阻410mQ,可
2024-12-19 14:48 深圳市点面线科技有限公司 企业号
                                                                                                
                                                                    1. 产品简介:2SK3121-VB 是 VBsemi 品牌推出的 P-Channel 沟道场效应晶体管。该器件的丝印为 VBI2338,封装采用 SOT89-3。它具有以下主要特性:工作电压为
2024-05-21 14:13 微碧半导体VBsemi 企业号
                                                                                                
                                                                    概述ME3121是一款高效率的同步整流降压DC-DC转换器芯片,输入电压最高可达40V,内部集成两颗低导通电阻的NMOSFET功率开关,低侧开关导通电阻170mΩ,高侧开关导通电阻410mΩ,可支持
2023-05-15 17:32 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
                                                                                                
                                                                    ZVE-373LN-K+ 超宽带放大器详解在高频通信和电子系统中,超宽带放大器的需求日益增加,尤其是在需要处理广泛频率范围的应用中。ZVE-373LN-K+ 超宽带放大器是一款专为满足这些需求而设
2024-11-06 09:02 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
                                                                                                
                                                                    ### 产品简介(K30S06K3L-VB)K30S06K3L-VB是一款高性能N沟道功率MOSFET,采用TO252封装,设计用于高效电源管理和开关应用。该MOSFET的漏源电压(VDS)为60V
2025-09-30 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号
                                                                                                
                                                                    ### 一、K10S04K3L产品简介K10S04K3L是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为高效能和高功率的应用而设计。其最大漏源极电压(VDS)为40V,适合用于中低
2025-09-29 11:35 微碧半导体VBsemi 企业号