射频可变衰减器Weinschel by Spectrum Control的4226-63是一款射频可变衰减器,频率为800 MHz至3 GHz,衰减范围63 dB,衰减步长1 dB,功率50 W
2024-02-18 22:00 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介4226M-VB是一款双N沟道MOSFET,采用SOP8封装。具有30V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),该器件适用于各种低电压功率管理和开关应用。采用Trench
2024-11-08 13:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4226AGM-VB 产品简介4226AGM-VB是一款双N+N沟道MOSFET,采用SOP8封装。该产品具有30V的漏源极电压(VDS),20V的栅源极电压(VGS),1.7V
2024-11-08 13:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、AP4226M-VB产品简介AP4226M-VB是一款双N沟道MOSFET,采用SOP8封装,专为高效能和高电流应用设计。该器件具有30V的漏极-源极电压(VDS),采用先进
2024-12-18 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号
LTC®4226 双通道热插拔 (Hot Swap™) 控制器允许在一个带电背板或受电连接器上安全地进行两条电源通路的插拔操作。通过采用 N 沟道传输晶体管,便能以一种可调速率使 4.5V 至
2023-04-06 15:02 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### AP4226BGM-VB 产品概述AP4226BGM-VB 是一款高性能双通道 N+N-Channel MOSFET,专为低压高效能应用设计。采用 SOP8 封装,具有较低的导通电阻和高电流
2024-12-18 16:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP4226AGM-HF-VB 产品简介AP4226AGM-HF-VB 是一款双N沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装。其设计特性包括高效的电流传输能力和低导通电阻,使其非常适合于需要
2024-12-18 16:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介AP4226GM-HF-VB 是一款双N沟道MOSFET,采用SOP8封装。该器件设计用于低压功率开关和大电流应用,具有较低的漏源电压和低导通电阻特性。采用沟槽技术,能够在较低
2024-12-18 17:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP4226AGM-VB是一款双N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(Dual N-Channel MOSFET),采用SOP8封装。该型号MOSFET具有低导通电阻和较高的电流承载
2024-12-18 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号