### 产品简介3055-VB 是一款由 VBsemi 生产的单通道 N 型 MOSFET，采用 SOT223 封装。该器件具有低漏源电压和低导通电阻，适用于低功率功率开关和电压调节
2024-11-04 16:43 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介：APM3055NU-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，封装为 TO252。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和出色的开关性能
2024-12-30 17:36 微碧半导体VBsemi 企业号
Qorvo 的 QPA3055P 是一款封装的高功率 S 波段放大器，采用 Qorvo 生产的 0.25 微米 GaN on SiC 工艺 (QGaN25) 制造。QPA3055P 覆盖 2.9
2022-11-03 11:39 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### APM3055LUC-VB MOSFET 产品简介APM3055LUC-VB 是一款高性能的单N沟道功率 MOSFET，采用TO252封装。该器件专为低导通电阻和高电流承载能力设计，能够在
2024-12-30 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号
LT®3055 是一款微功率、低噪声、低压差电压 (LDO) 线性稳压器。该器件可提供 500mA 输出电流和一个 350mV 压差电压。一个 10nF 旁路电容器将输出噪声降低至 25
2023-04-26 16:45 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 一、产品简介**3055L-VB**是一款由VBsemi生产的N沟道功率MOSFET，采用SOT223封装。它适用于各种中低压电力管理应用，特别是在需要高开关频率和低导通电阻的场合。该
2024-11-04 16:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介3055LG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 SOT223 封装。具有 60V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS），阈值电压为 1.7V。其导通电
2024-11-04 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详**3055-VB**是一款由VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET，采用TO252封装。该器件具有较高的VDS和VGS值，适用于各种中低功率应用。凭借其先进的Trench技术
2024-11-04 16:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详细：APM3055NG-VB 是一款高性能的单路N沟道场效应管，采用先进的Trench技术制造，封装为TO263。该器件具有30V的漏极-源极电压（VDS），适用于低至中等电压范围
2024-12-30 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号
