根据提供的型号和参数,以下是对该 MOSFET 型号 NDT3055-VB 的详细参数和应用简介:**型号:** NDT3055-VB**丝印:** VBJ1695**品牌:** VBsemi
2023-12-18 17:45 微碧半导体VBsemi 企业号
NDT3055L详细参数说明 - 极性 N沟道- 额定电压 60V- 额定电流 4A- 导通电阻 76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V- 门源电压 20Vgs (±V
2023-10-27 17:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### NTD3055-094-VB 产品简介NTD3055-094-VB是一款高效能N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为高电压和高电流应用设计。凭借其低导通电阻和优秀的热性能,该器件非常
2025-10-15 10:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、MTD3055EL-VB 产品简介 MTD3055EL-VB 是一款高效能的 **单 N 沟道 (Single N-Channel)** MOS
2025-10-13 11:21 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介NTD3055VL-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为高效开关应用而设计。凭借其良好的导通电阻和适中的电流处理能力,NTD3055VL-VB在电源管理
2025-10-15 10:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介3055-VB 是一款由 VBsemi 生产的单通道 N 型 MOSFET,采用 SOT223 封装。该器件具有低漏源电压和低导通电阻,适用于低功率功率开关和电压调节
2024-11-04 16:43 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:APM3055LUC-TRL-VB丝印:VBE1310品牌:VBsemi参数:- N沟道- 额定电压:30V- 最大电流:70A- 开态电阻 (RDS(ON)):7mΩ @ 10V, 9m
2023-12-15 09:56 微碧半导体VBsemi 企业号
Qorvo 的 QPA3055P 是一款封装的高功率 S 波段放大器,采用 Qorvo 生产的 0.25 微米 GaN on SiC 工艺 (QGaN25) 制造。QPA3055P 覆盖 2.9
2022-11-03 11:39 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### APM3055LUC-VB MOSFET 产品简介APM3055LUC-VB 是一款高性能的单N沟道功率 MOSFET,采用TO252封装。该器件专为低导通电阻和高电流承载能力设计,能够在
2024-12-30 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号