电子发烧友

型号：CMD<b class='flag-s-7'>299</b>K4 品牌：

CMD299K4产品简介Qorvo 的 CMD299K4 是一款采用无引线表面贴装封装的高效 GaAs MMIC 低噪声放大器。该放大器非常适合需要小尺寸和低功耗的电子战和通信系统。该器件提供大于

2023-04-23 20:51 立年电子科技 企业号

型号：CMD<b class='flag-s-7'>299</b>K4低噪声放大器产品介绍 品牌：DFRobot

CMD299K4低噪声放大器产品介绍在射频（RF）和微波应用中，低噪声放大器（LNA）是确保信号质量和系统性能的关键组件。Custom MMIC推出的CMD299K4是一款高性能的低噪声放大器，专为

2024-10-19 23:25 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：5R<b class='flag-s-7'>299</b>P-VB TO247 品牌：微碧

### 5R299P-VB MOSFET 产品简介5R299P-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。由VBsemi采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有高电流和低导通电

2024-11-15 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：CMD<b class='flag-s-7'>299</b>K4 品牌：

制 MMIC 的 CMD299K4 是一款 GaAs 低噪声放大器，工作频率范围为 18 至 40 GHz。它提供超过 16 dB 的增益和 4 dB 的噪声系数。它的 P1dB 为 7 dBm

2022-10-09 17:44 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：CMD<b class='flag-s-7'>299</b> 品牌：

Custom MMIC 的 CMD299 是一款宽带 GaAs MMIC 低噪声放大器，工作频率范围为 18 至 40 GHz。它提供高达 7.5 dBm (0.0056 W) 的输出功率、16

2022-10-10 15:41 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：6R<b class='flag-s-7'>299</b>P-VB TO220 品牌：微碧

### 1. 产品简介**6R299P-VB TO220 MOSFET**6R299P-VB TO220是一款单通道N沟道MOSFET，设计用于高压应用。它采用了SJ_Multi-EPI技术，具备

2024-11-19 09:56 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：6R<b class='flag-s-7'>299</b>P-VB TO247 品牌：微碧

### 产品简介：MOSFET型号：6R299P-VB  封装：TO247  配置：单N沟道  耐压（VDS）：650V  栅极-源极电压（VGS）：±30V

2024-11-19 10:00 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5R<b class='flag-s-7'>299</b>P-VB TO220F 品牌：微碧

### 1. 产品简介5R299P-VB 是一款单N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备高性能和高电流处理能力，适合用于要求高电压和高电流控制的应用场合。采用了SJ_Multi-EPI技术，保证了

2024-11-15 16:19 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：6R<b class='flag-s-7'>299</b>P-VB TO220F 品牌：微碧

### 1. 产品简介**型号：** 6R299P-VB TO220F  **封装：** TO220F  **配置：** 单N沟道  **耐压（VDS）：** 650V

2024-11-19 09:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：6R<b class='flag-s-7'>299</b>P-VB TO263 品牌：微碧

### 1. 产品简介详细：型号：6R299P-VB  封装：TO263  配置：单N沟道  耐压（VDS）：650V  栅极-源极电压（VGS）：±30V

2024-11-19 10:03 微碧半导体VBsemi 企业号