Qorvo 的 CMD262 是一款 5 W GaN MMIC 功率放大器芯片,非常适合需要高功率和高线性度的 Ka 波段通信系统。该器件提供大于 26 dB 的增益,相应的输出 1 dB 压缩
2022-11-02 11:36 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介`045N10N-VB TO262` 是一种高性能的单N沟道MOSFET,采用TO262封装技术。该产品以低导通电阻和高电流处理能力为特点,适用于各种高效电力转换和管理
2024-07-02 15:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、80CN10N-VB TO262 产品简介80CN10N-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术制造,封装形式为TO262。具有100V的耐压能力和极低的导通电阻,适合于
2024-11-21 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**82N06-VB**是一款单N沟道MOSFET,采用TO262封装,具有优秀的导通特性和高电流承受能力。采用了Trench技术,适用于需要高效能和可靠性的电子应用。### 详细
2024-11-21 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**80N04-VB**是一款单N沟道MOSFET,采用TO262封装,属于VBsemi的产品线。它采用了Trench技术,具有低导通电阻和高电流承受能力,适用于要求高效能和高可靠性
2024-11-21 14:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介3N0403-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用 TO262 封装。它具有60V的漏源电压(VDS),适用于中功率应用。该器件采用了沟道(Trench)技术,具有较低的导通电
2024-11-06 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4N0406-VB 产品简介4N0406-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO262封装。它具有优异的导通特性和高电流承载能力,适用于要求高功率密度和高效率的电子电路设计。采用沟槽
2024-11-12 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介4N0404-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO262封装,适用于高功率和高效能应用。该器件具有60V的漏源电压(VDS),极低的导通电阻和高达75A的漏极电流(ID
2024-11-12 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**3N0404-VB**是一款由VBsemi生产的单N沟道MOSFET,采用TO262封装。该器件具有低漏极电压和低导通电阻的特点,适用于高电流、低压降的应用场
2024-11-06 16:09 微碧半导体VBsemi 企业号