Qorvo 的 TGF2022-06 是一款射频放大器,频率为 DC 至 20 GHz,增益为 13 dB,电源电压为 8 至 12,电流消耗为 45 至 75 mA。标签: 功率放大器。更多
2022-10-14 14:00 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介3PN06L04-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装。具有60V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),适用于中电压的功率管理和开关应用。采用Trench
2024-11-07 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:4N06L04-VB TO263**4N06L04-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO263封装。它具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于各种中高功率应用。该器件
2024-11-13 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:4P04L06-VB****封装:TO263****配置:单P沟道**4P04L06-VB是一款高性能单P沟道MOSFET,采用Trench技术制造,适用于负向工作电压要求
2024-11-13 17:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**4P04L06-VB TO220**4P04L06-VB 是一款单P沟道MOSFET,采用TO220封装。它具有负向电压漏源极电压(VDS)为-40V的特性,适用于需要处理
2024-11-13 17:31 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号**: AM90N06-04D-VB**封装**: TO252**配置**: 单一N沟道MOSFETAM90N06-04D-VB是一款高性能的单一N沟道MOSFET,采用先进
2024-12-02 15:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:4P04L06-VB TO252**4P04L06-VB是一款单P沟道功率MOSFET,采用TO252封装。它适用于中高功率应用,具有负漏源电压和低导通电阻特性。该器件采用
2024-11-13 17:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**4N06L04-VB TO220**4N06L04-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO220封装。它具有优异的电流承载能力和低导通电阻,适用于高效能的电源管理
2024-11-13 14:31 微碧半导体VBsemi 企业号