美光科技（Micron）16日宣布进一步推动DRAM产品的革新，其开始采用业界首个1z nm的工艺节点批量生产16Gb DDR4内存。 与上一代1Y nm相比，该公司将使用1z nm节点来改善
2019-08-20 10:22
韩国三星近期积极将极紫外（EUV）曝光技术应用在采用1z纳米制程的DRAM记忆体生产上，并且完成了量产。而根据半导体分析机构《TechInsights》拆解了分别采用EUV曝光技术和ArF-i曝光
2021-02-22 10:31
在当前内存市场需求疲软的环境下，三星、美光和SK海力士相继发布1z nm内存芯片，抢进高端内存市场。并计划下半年开始量产，并于2020年在新一代服务器、高端PC急智能手机等应用发力。 三星1
2019-10-22 10:41
经过几个月的等待，我们终于看到三星电子将极紫外（EUV）光刻技术应用于D1z DRAM的大规模量产。
2021-02-21 09:20
10月21日，SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10
大体上1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。
2020-03-22 14:28
2019年上半DRAM价格下跌压力沉重，尽管上游产能调节以及传统旺季拉货需求逐渐回升，预料将有望支撑跌价趋缓，为了提高生产效益及拉大竞争差距，DRAM大厂竞相推进下一代制程技术。
2019-06-21 16:43
EVAL BOARD
2024-03-14 22:41
