大体上1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。
2020-03-22 14:28
HEF 4052－电子切换开关引脚 符号 功能1 0Y 开关1，0Y输入2 2Y 开关1，2Y输入3
2008-01-16 23:56
大多数读者应该知道Intel 的处理器、TSMC生产的SoC（System on Chip）等逻辑半导体的相关工艺，也明白到这些规则只不过对产品的命名罢了。那么，DRAM中提到的1X（18nm）、1Y（17nm）、1
2020-07-22 14:33
74HC04是高速的硅栅CMOS器件并兼容低功耗肖特基的TTL（ LSTTL ）非门（逆变器）。74HC04是内含6组相同的反相器。即1A输入高电平，1Y输出低电平六反相器
2017-12-04 16:32
3月21日，三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-21 16:43
SK 海力士公司宣布，其已成功开发出 1Znm 16GB DDR4 动态随机存储器（DRAM），创下了业内单芯最大密度的纪录。与上一代 1Y nm 产品相比，其产能提升约 27%，因其无需昂贵的极紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本竞争优势。
2019-11-19 11:08
2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 评论: 0 | 来自: 半导体产业网 摘要 : 10纳米级DRAM先进制程竞争逐渐升温，三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y
2018-11-12 18:04
三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36
会用上EUV工艺？在美光看来，EUV光刻工艺并不是DRAM芯片必须的，未来几年内都用不上，在新一代工艺上他们正在交由客户验证1Y nm内存芯片，未来还有1Z、1α及
2018-06-07 14:49
今年以来DRAM价格持续下跌，DRAM厂南亚科今年获利表现恐不如去年好。为了维持稳定获利，南亚科将朝向优化产品组合方向调整，提高DDR4及LPDDR4X等毛利率较好的产品比重。此外，南亚科已取得美光的1x/1y纳米制程技术授权选择权，并启动自主研发的10纳米世代制
2019-03-01 16:30
