本文主要介绍了74ls193中文资料汇总（74ls193引脚图及功能_工作原理及应用电路）。193的清除端是异步的。当清除端（CLEAR）为高电平时，不管时钟端（CDOWN、CUP）状态如何，即可
2018-05-09 09:40
做项目时候需要电路电流采集，采用INA193采样芯片，固定放大20倍。实测输出放大后的电压和计算值对应不上，遂逐步排查问题。
2020-03-22 09:15
193-6BP00-0DA0) 服务器模块(6ES7 193-6PA00-0AA0) 24V的电源模块 软件部分： 博途V16 第一部分：添加1500的CPU 1.1 点击添加新设备 1.2 点击控制器 1.3 选择CPU
2023-05-29 09:20
连续调用子程序P1→又在子程序P1中调用子程序P2（子程序欠套）：先使X2=ON，X1＝OFF,然后使X0=ON(连续调用子程序P1及子程序P2)，则输出Y0仍按一秒闪光，Y5、Y6和Y2按2秒闪光。的限制和使用规律,用T0、T1代替T192、T193再运行程序，观察运行结果。
2018-03-14 15:01
摘要 ：随着微电子产业的迅猛发展，我国迫切需要研制极大规模集成电路的加工设备-光刻机。曝光波长为193nm的投影式光刻机因其技术成熟、曝光线宽可延伸至32nm节点的优势已成为目前光刻领域的主流设备
2023-07-17 11:02
，***经历了第一代是436nm g-line；第二代是365nm i-line；第三代是248nm KrF；第四代193nm ArF；最新的是13.5nm EUV。 其中，193nm ArF也
2019-06-16 09:56
时可能发生的掩模不对齐。 双重图案技术中的自对准间隔技术 将 SADP 加倍可以得到四重图案化工艺 (SAQP)。 193nm 浸没式光刻的 SADP 可以实现~20nm 的半
2019-01-08 11:02
中期水平。 国家在2000年前后启动了193纳米ArF***项目。而ASML已经开始EUV***的研发工作，并于2010年研发出第一台EUV原型机，由三星、台积电、英特尔共同入股推动研发。这
2019-06-16 11:18
的汞灯紫外光波段进入到深紫外波段（DUV），如用于0.25微米技术的分子激光（波长为248纳米）和用于0.18微米技术的准分子激光(波长为193纳米)。 除此之外，根据光的干涉特性
2019-01-02 16:32
使用的传感器是由具有滤色层的三只装在一个元件中的光电二极管及其具有互相阻抗放大的印刷电路板组成。传感器的滤色层具有CIE193lXyzCMFs近似值。利用这种传感器，可以获取测量辐射功率的输出电压。在将所获
2017-05-25 15:46
