深入了解141-18NM-300W+手动柔性互连器件在现代电子设备中，互连器件扮演着至关重要的角色。它们不仅负责连接各种电子元器件，还确保信号传输的稳定性与可靠性。今天，我们将重点介绍一款优质的互连
2024-04-10 22:28 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介18NM80-VB是一款单路N沟道场效应管（MOSFET），采用SJ_Multi-EPI技术，具有高达800V的漏极-源极电压（VDS）和20A的漏极电流（ID）能力。该器件采用
2024-07-08 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi的18NM80-VB是一款单N沟道MOSFET，具有800V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS），和3.5V的阈值电压（Vth）。它采用
2024-07-08 16:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的18NM80-VB是一款单N沟道场效应管（MOSFET），具有800V的漏极-源极电压（VDS）和30V的门极-源极电压（VGS）。该器件采用SJ_Multi-EPI
2024-07-08 16:28 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**VBsemi的18NM80-VB是一款TO220封装的单N沟道MOSFET。它具有800V的漏极-源极电压（VDS）和30V的门极-源极电压（VGS）。采用
2024-07-08 16:21 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi的MOSFET产品18NM60N-VB是一款单通道N沟道器件，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），和3.5V的阈值电压（Vth）。该器件采用
2024-07-08 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi 18NM60N-VB TO220F MOSFET产品简介：VBsemi的18NM60N-VB TO220F是一款TO220F封装的单通道N沟道MOSFET。该产品具有650V的漏极-源
2024-07-08 16:16 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi 18NM80-VB TO220F MOSFET产品简介：18NM80-VB TO220F是一款单N沟道场效应管，具有800V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS
2024-07-08 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi的18NM60N-VB TO247是一款单N沟道MOSFET，具有高耐压和低导通电阻。采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种领域和模块的高性能应用。### 详细
2024-07-08 16:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi 18NM60N-VB TO263 MOSFET是一款单N沟道功率MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的最大门极-源极电压（VGS）。采用
2024-07-08 16:19 微碧半导体VBsemi 企业号
