)、可编程方波输出和114字节的电池备份静态RAM (DS12C887和DS12C887A包含113字节RAM)。DS12887在24引脚模块DIP封装内集成了晶体和锂
2023-07-21 17:25 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
1. **产品简介** WFF5N60C-VB是一款采用TO220F封装的单N通道MOSFET,专为中等功率和高耐压应用设计。它具有650V的漏源电压(VDS)和最大漏极电流(ID)为
2025-09-22 17:04 微碧半导体VBsemi 企业号
60 kW 三相交错式 LLC DC-DC 转换器 (CRD-60DD12N-K) 是之前 30 kW 设计 (CRD-30DD12N-K) 功率水平的两倍,面向高功率密度、高效率快速充电器应用并
2023-08-01 17:40 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### K5A60-VB MOSFET 产品简介:K5A60-VB 是一款高压单 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压和中等电流的应用设计。其最大漏源电压(VDS)为
2025-09-12 16:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、**SSS5N60A-VB 产品简介** SSS5N60A-VB 是一款基于 Planar 技术设计的单极 N 沟道功率 MOSFET,封装采用 TO220F 封装,具有
2025-09-18 09:57 微碧半导体VBsemi 企业号