型号： SQD40P10-40L-GE3-VB丝印： VBE2104N品牌： VBsemi参数： P沟道，-100V，-40A，RDS(ON)，33mΩ@10V，36mΩ@4.5V，20Vgs
2023-12-13 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号
HMC440QS16GE：高性能、宽带射频低噪声放大器HMC440QS16GE是一款高性能的宽带射频低噪声放大器(LNA)，具有出色的线性度、噪声性能和高增益。这款放大器由业界知名的制造商提供，专为
2024-02-16 17:44 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
型号 Si2338DST1GE3丝印 VB1330品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 30V 额定电流 6.5A RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33m
2023-10-31 15:13 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω @10V, 260mΩ @4.5V- 门源电压 20Vgs- 门阈电压 2Vth- 封装 SOT23应用简介 SI2324DS-T1-GE3是一款N沟道MOS
2023-10-27 17:18 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) 阈值电压 1V 封装类型 SOT23详细参数说明 SI2323DDST1GE3是一款P沟道MOS管，适用
2023-11-06 11:02 微碧半导体VBsemi 企业号
根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号 SI3456DDV-T1-GE3-VB 的详细参数和应用简介：**型号：** SI3456DDV-T1-GE3-VB**丝印：** VB7322
2023-12-16 10:29 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 SI2323DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @10V, 56m
2023-11-06 09:17 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 SUD50P0408GE3丝印 VBE2412品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 65A 导通电阻 10mΩ@10V, 13m
2023-10-28 15:35 微碧半导体VBsemi 企业号
