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型号：SQD40P<b class='flag-s-7'>10-40L-GE</b>3-VB 品牌：微碧

 型号   SQD40P10-40L-GE3-VB 功能类型   P沟道功率MOSFET 最大电压   -100V 最大电流

2023-11-09 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SQD40P<b class='flag-s-7'>10-40L-GE</b>3-VB 品牌：微碧

型号： SQD40P10-40L-GE3-VB丝印： VBE2104N品牌： VBsemi参数： P沟道，-100V，-40A，RDS(ON)，33mΩ@10V，36mΩ@4.5V，20Vgs

2023-12-13 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：HMC440QS16<b class='flag-s-7'>GE</b> 品牌：

HMC440QS16GE：高性能、宽带射频低噪声放大器HMC440QS16GE是一款高性能的宽带射频低噪声放大器(LNA)，具有出色的线性度、噪声性能和高增益。这款放大器由业界知名的制造商提供，专为

2024-02-16 17:44 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：SI2323DDS-T1-<b class='flag-s-7'>GE</b>3-VB 品牌：微碧

Ω @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) 阈值电压 1V 封装类型 SOT23详细参数说明 SI2323DDST1GE3是一款P沟道MOS管，适用

2023-11-06 11:02 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SI2323DS-T1-<b class='flag-s-7'>GE</b>3-VB 品牌：微碧

型号 SI2323DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明  类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @10V, 56m

2023-11-06 09:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：Si2338DS-T1-<b class='flag-s-7'>GE</b>3-VB 品牌：微碧

型号 Si2338DST1GE3丝印 VB1330品牌 VBsemi参数  频道类型 N沟道 额定电压 30V 额定电流 6.5A RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33m

2023-10-31 15:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SI2324DS-T1-<b class='flag-s-7'>GE</b>3-VB 品牌：微碧

Ω @10V, 260mΩ @4.5V- 门源电压 20Vgs- 门阈电压 2Vth- 封装 SOT23应用简介 SI2324DS-T1-GE3是一款N沟道MOS

2023-10-27 17:18 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SUD50P04-08-<b class='flag-s-7'>GE</b>3-VB 品牌：微碧

型号 SUD50P0408GE3丝印 VBE2412品牌 VBsemi详细参数说明  类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 65A 导通电阻 10mΩ@10V, 13m

2023-10-28 15:35 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SQ9945BEY-T1-<b class='flag-s-7'>GE</b>3-VB 品牌：微碧

型号 SQ9945BEYT1GE3丝印 VBA3638品牌 VBsemi详细参数说明  类型 2个N沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 6A 导通电阻 27mΩ @10

2023-10-28 15:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SI3477DV-T1-<b class='flag-s-7'>GE</b>3-VB 品牌：微碧

型号 SI3477DVT1GE3丝印 VB8338品牌 VBsemi参数  频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 4.8A RDS(ON) 49mΩ @ 10V，54m

2023-11-03 10:21 微碧半导体VBsemi 企业号