DMZ(X)1015E是具有超高阈值电压的耗尽型MOSFET( ARK(方舟微)特有的超高阈值“UItraVt ^®️^ ”专利技术 )，利用该器件的亚阈值特性可以实现稳定的电压或电流输出。在
2023-11-18 15:55
ARK（方舟微）研发的UltraVt ®超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压70V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。
2023-11-18 16:00
开关电源的设计是一份非常耗时费力的苦差事，需要不断地修正多个设计变量，直到性能达到设计目标为止。本文step-by-step 介绍反激变换器的设计步骤，并以一个6.5W 隔离双路输出的反激变换器设计为例，主控芯片采用NCP1015。
2022-07-08 16:08
、TIOS1013 和 TIOS1015 数字传感器输出驱动器，以其强大的功能和出色的性能，为工程师们提供了理想的解决方案。今天，我们就来深入探讨一下这些器件的特性、应用及设计要点。 文件下载
2025-12-18 16:50
展示了一种锁定在异质集成的铌酸锂-大马士革氮化硅微谐振器模式上的电光可调谐混合集成激光自注入器。观测到的固有线宽为 3 kHz，频率调谐率为 12 × 1015 Hz/s。进行了原理性相干激光雷达实验。
2024-11-20 10:36
、TIOS1013 和 TIOS1015 数字传感器输出驱动器，凭借其集成浪涌保护等一系列特性，在工业传感器等应用中展现出了卓越的性能。今天，我们就来深入了解一下这些器件。 文件下载： tios101.pdf 特性
2025-12-18 16:50
参数更新不耗费计算力，那么在50000张图像训练35个epoch应该会在5×1015FLOPs以内完成。
2018-11-12 09:35
semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
2017-07-07 10:45
，白天在标准太阳光照条件下，发电效率为10%，则整个地球表面上每年可获得的太阳能发电量为114×1015 kWh，大约相当于当今世界能耗总量的100倍。
2018-03-16 16:45
场效应管具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。用通俗易懂的话让你明白
2018-01-06 09:59
