HMC440QS16GE：高性能、宽带射频低噪声放大器HMC440QS16GE是一款高性能的宽带射频低噪声放大器(LNA)，具有出色的线性度、噪声性能和高增益。这款放大器由业界知名的制造商提供，专为
2024-02-16 17:44 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
型号 SI2324DS-T1-GE3丝印 VB1102M品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 N沟道MOSFET- 最大耐压 100V- 最大电流 2A- 导通电阻 246m
2023-10-27 17:18 微碧半导体VBsemi 企业号
**GE3400-VB 详细参数说明:**- 丝印: VB1330- 品牌: VBsemi- 封装: SOT23- 沟道类型: N沟道- 额定电压(VDS): 30V- 最大电流(ID
2024-03-30 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号
-D2/HTN202-2GS4GE-D2是2光2电/2光4电以太网光纤交换机，支持端口带宽控制、优先级、动态MAC地址表、端口安全、广播风暴控制等智能配置。同时2个100Mbps光口扩大了网络半径
2024-07-08 11:00 北京中科易联科技有限公司 企业号
产品型号: GE3407-VB丝印: VB2355品牌: VBsemi封装: SOT23**详细参数说明:**- 极性: P-Channel- 额定电压(Vds): -30V- 额定电流(Id
2024-03-30 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
**详细参数说明：**- 产品型号: GE2301-VB- 品牌: VBsemi- 丝印: VB2290- 封装: SOT23- 沟道类型: P—Channel- 最大耐压: -20V- 最大电流
2024-03-30 16:17 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2392DS-T1-GE3-VB是VBsemi品牌的N—Channel沟道场效应管，采用SOT23封装。以下是详细参数说明和应用简介：- 电压（Vds）：100V- 电流（Id）：4.3A- 导
2024-04-03 17:47 微碧半导体VBsemi 企业号
, 100mΩ @2.5V 门源电压 12Vgs (±V) 门阈电压 1.2~2.2Vth 封装 SOT236应用简介 SI3911DVT1GE3是一款具有两个P沟道MOS
2023-11-01 15:46 微碧半导体VBsemi 企业号
型号： SQD40P10-40L-GE3-VB丝印： VBE2104N品牌： VBsemi参数： P沟道，-100V，-40A，RDS(ON)，33mΩ@10V，36mΩ@4.5V，20Vgs
2023-12-13 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号
