为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET 开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计优化，减少MOSFET的
2016-01-04 14:59
一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗；关断
2021-10-22 10:51
使用示波器测量电源开关损耗。
2016-05-05 09:49
功率MOSFET的开关损耗分析。
2021-04-16 14:17
从某个外企的功率放大器的测试数据上获得一个具体的感受：导通损耗60W开关损耗251。大概是1:4.5 下面是英飞凌的一个例子：可知，六个管子的总功耗是714W这跟我在项目用用的那个150A的模块试验测试得到的总功耗差不多。 导通
2023-02-23 09:26
基于DSP的最小开关损耗SVPWM算法实现。
2016-04-18 09:47
FPGA平台实现最小开关损耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12
MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响，在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的，比如常见的管脚引线电感。本文在理论分析和实验数据基础上阐述了各寄生电感对IGBT
2017-09-08 16:06
MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响，在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的，
2009-04-08 15:21
英飞凌按照“10%-2%”积分限计算开关损耗，而有些其他厂商按照”10%-10%”计算，后者结果比前者会小10-25%Eon,Eoff受IC,VCE,驱动能力（VGE,IG,RG）,T和分布电感影响我们假设Eon和Eoff正比于IC,在VCE test（900V)的20%范围内正比于VCE,则有：
2023-02-23 15:54
