特点 精确的复位阈值:±2.5% 提供两种复位输出: -CMOS输出(CN809/CN810) -漏极开路输出(CN803) 最小140ms的复位脉冲宽度 
2025-02-17 13:58 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 产品简介`042NE7NS3-VB` 是一种高性能的单N沟道MOSFET,采用DFN8 (5X6) 封装技术,适用于各种高效电力转换和管理应用。### 详细参数说明- **替代
2024-07-02 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSC042NE7NS3 G-VB是一款高性能单管N沟道MOSFET,封装形式为DFN8 (5x6)。该MOSFET提供80V的漏极-源极耐压、20V的栅极-源极耐压,并具有3
2025-01-08 16:04 微碧半导体VBsemi 企业号
### 440N10NS3-VB DFN8(5X6) MOSFET 产品简介440N10NS3-VB 是一款单通道 N 沟道场效应管,采用 DFN8(5X6) 封装,适
2024-11-08 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 340N08NS3-VB MOSFET 产品简介**型号:** 340N08NS3-VB **封装:** DFN8(5X6) **配置:** 单N沟道  
2024-11-06 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 900N20NS3-VB MOSFET 产品简介900N20NS3-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 Trench 技术制造,封装为 DFN8 (5X6)。它具有200V 的漏源
2024-11-22 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、7P20G-TN3-R-VB型号的产品简介7P20G-TN3-R-VB是一款单P沟道功率MOSFET,适用于需要负载开关和功率控制的应用。采用Trench技术制造,封装在TO252外壳中
2024-11-21 14:13 微碧半导体VBsemi 企业号