智能调光为何必须实现“无频闪”？ LED光源的频闪会导致人眼肌肉持续紧张，从而引发视疲劳、眼干、头痛等不适。长期处于此类光环境下，还可能加剧近视发展，并对光敏感人群的神经系统产生不良影响。频闪实质上是一种有害的光污染，持续损耗视力健康。因此，无频闪成为高品质LED照明的核心要求，直接关乎人眼健康与使用体验。 惠海半导体H6911升压恒流IC，正是实现智能调光无频闪的理想解决方案。该芯片是一款外围电路简洁、支持宽调光比的升压调光LED恒流驱动器，适用于2.6-40V输入电压范围的LED照明系统。其采用数转模调光技术，全程无频闪，能彻底解决灯具调光过程中的频闪问题，为摄影、摄像等场合提供稳定、高质量的光源，非常适用于专业补光灯、影视外拍灯、太阳能移动灯等高亮度、长续航场景。H6911不仅满足多样化的智能调光需求，也帮助厂商降低了研发与维护成本，推动智能调光技术在多领域规模化落地。 H6911芯片核心优势： ★ 启动电压低至2.5V，工作电压范围2.6-40V ★ 支持10A大电流输入，内置40V LDO供电 ★ 数转模无频闪调光，调光深度低至0.1% ★ 调光频率超过32kHz，转换效率＞95% ★ 集成软启动、OVP过压保护及过热降电流等多重保护功能 ★ 广泛适用于3.7V/7.4V升压至9V/12V/24V/36V/42V等10A大电流、大功率应用场景
2026-01-08 17:52
这个是5v-12v的升压电路，现在只能输出6v。大哥大姐，帮我看看这个电路有什么问题，谢谢了！！
2026-01-08 15:36
2026-01-08 15:24
前提条件 已创建HarmonyOS应用 | 创建元服务。 已申请调试证书，并注册调试设备。 （如需使用ACL权限）已申请并获取ACL权限。 操作步骤 1.登录AppGallery Connect，选择“证书、APP ID和Profile”。 2.在左侧导航栏选择“证书、APP ID和Profile > Profile”，进入“Profile”页面，点击右上角“添加”。 在“添加Profile”页面，填写应用名称、Profile名称等必填信息。 （可选）在Profile内添加ACL权限。 选择应用名称后，“添加Profile”页面下方会出现“申请权限”栏。如果您之前为应用/元服务申请并获取了ACL权限，还需将权限添加至Profile内，才能真正使用权限。若不涉及使用ACL权限，可忽略此步骤。 a.在“申请权限”栏，选中“受限ACL权限（HarmonyOS API9及以上）”选项，点击“选择”。 b.弹出“选择受限ACL权限”窗口，该窗口展示当前应用/元服务已获取的ACL权限，且已获取权限的开关状态与该权限在“ACL权限”页签的开关状态一致。选择需添加到Profile内的权限，点击“确定”。 5.点击右上角“添加”，调试Profile申请成功。 如果当前应用/元服务尚未配置Profile关联的调试证书对应的指纹，还会提示您进行配置，具体操作可参考配置公钥指纹。此操作只有应用/元服务集成了依赖公钥指纹的华为开放能力时才需执行，如不涉及请忽略。 6.点击“下载”，将生成的Profile保存至本地，供后续签名使用。 7.（可选）“生效”状态的调试Profile还支持修改Profile绑定的调试设备。点击“编辑设备”，重新选择调试设备即可。 本文参考鸿蒙官方文档
2026-01-08 15:18
2026-01-08 15:18
2026-01-08 15:12
一、实验现象 PWM 波形的占空比脉冲的宽度在缓慢地变宽、变窄，循环往复。但波形的周期（频率）是恒定的。 占空比从小到大，再从大到小，频率保持25Khz不变。 二、实验代码 epwm目录下。 先看宏定义部分： #define EPWM1_TIMER_TBPRD2000U// 设置计数周期的最大值（Time Base Period） #define EPWM1_MAX_CMPA1950U// 占空比调整的最大比较值 #define EPWM1_MIN_CMPA 50U// 占空比调整的最小比较值 TBPRD ：决定了 PWM 的频率。在这个例程中，计数器会从 0数到 2000，再数回 0。 CMPA/CMPB ：决定了占空比。当计数器的值等于这个值时，输出电平会发生翻转。 1.频率是如何设置的？ 代码中定义了 #define EPWM1_TIMER_TBPRD 2000U。 由于使用的是 Up-Down Count（向上向下计数） 模式，计数器从 0爬升到 2000，再从 2000 回落到 0 才算一个周期。 PWM频率 = 系统时钟 (SYSCLKOUT)/（2*TBPRD） （1）系统时钟频率如何得知？ 打开“device.h” DEVICE\\\\_SYSCLK\\\\_FREQ = \\\\frac{(DEVICE\\\\_OSCSRC\\\\_FREQ \\\\times IMULT\\\\_VAL / IDIV)}{ODIV\\\\_VAL} / SYSDIV$$**输入参考时钟 (**$OSCSRC\\\\_FREQ$**)** : 10Mhz 我们代入宏定义的公式： DEVICE_SYSCLK_FREQ = DEVICE_OSCSRC_FREQ * IMULT_VAL /1 / ODIV_VAL /1 = 10M * 40 / 1 / 4 /1 = 100Mhz 因此系统频率= 100Mhz PWM频率 = 系统时钟 (SYSCLKOUT)/（2*TBPRD） =100M/2/2000 = 25kHZ 2.占空比如何变化的？ 先看EPWM的初始化。 结构体先初始化了最大CMPA 1950 ,最小CMPA 50. 此段代码是占空比又小到大，又由大到小的核心。 可以看到程序逻辑：如果是正向周期，CMPA没到最大1950，则比较值不断增加，否则设置为负周期，CMPA减小直到50。 三、硬件连接 硬件连接应该查看Board_init()函数。 然后找到PinMux_init()函数。 可以看到有关GPIO初始化的代码。 继续点进定义。 跳转至了board.h文件，可以看到配置到的EPWM1的硬件映射是IO0. 我们把示波器探头挂到这个IO口上即可看到实验现象。
2026-01-08 14:53
各位伙伴，请问一个问题，[资料] 汽车软件质量跃迁的系统性路径：基于ISO 26262标准的单元测试体系重构与中日实践深度对比（2026学术研究报告），这份数据谁有源参考文献，有酬感谢
2026-01-08 10:09
在微电子封装可靠性评估中，焊球-剪切测试和键合点-拉力测试是两种最常用的机械性能检测方法。长期以来，工程界对这两种测试手段的有效性和适用场景存在诸多讨论。究竟哪一种测试更能真实反映键合界面的长期可靠性？今天，跟随科准测控小编来一探究竟。 一、核心实验：极端热应力下的性能演变 White的研究为此问题提供了极具说服力的数据。该实验采用了与集成电路铝金属层形成牢固连接的金球键合样品，并在200℃的高温环境下进行了长达2688小时（约112天）的加速老化试验。研究人员通过定期取样，分别进行剪切测试和拉力测试，系统追踪了金-铝界面在长期热应力下的退化过程。 上图重新绘制了这项关键研究的核心数据，揭示了一个出乎意料的现象：随着老化时间增加，剪切力呈现显著下降趋势，而拉力值却基本保持稳定甚至略有上升。 二、数据解读：两种测试的不同响应机制 剪切测试：对界面退化高度敏感 实验数据显示，经过长时间热老化后，键合界面的剪切强度降低了约2.6倍。这种退化主要归因于两个因素： 金属间化合物（IMC）的形成：金和铝在高温下持续扩散反应，生成脆性的Au-Al金属间化合物层 柯肯达尔（Kirkendall）空洞的产生：由于金、铝原子扩散速率不同，在界面处产生微空洞缺陷 重要发现：尽管界面发生了明显的机械性能退化，但器件的电学性能仅受到轻微影响（电阻增加仅几毫欧）。这证实了机械可靠性失效可能先于电学失效发生，凸显了机械测试在早期预警中的价值。 拉力测试：反映金线本体性能 与剪切测试的显著变化不同，拉力值在整个老化过程中基本保持稳定。这种差异源于两种测试的本质区别： 剪切测试：主要评估键合界面的结合强度，对界面退化直接敏感 拉力测试：更侧重于评估金线自身的冶金性能和抗拉强度 实验中观察到的拉力值轻微上升，很可能反映了金线在高温下发生的冶金学变化（如晶粒生长、再结晶等），而非界面强度的改善。 三、关键结论：测试方法的适用边界 剪切测试的独特价值 这项研究明确指出：焊球-剪切测试是评估键合界面长期可靠性的更有效指标。它能够敏感地检测出由金属间化合物生长和空洞形成引起的界面退化，而这种退化在拉力测试中可能被完全掩盖。 拉力测试的局限性 拉力测试并非界面强度的有效指标。它更适合评估： 金线材料本身的机械性能 键合点的整体结构完整性 颈缩区域的强度 互补而非替代 值得注意的是，实验中的极端热应力条件（消耗了所有可用铝层）并未导致器件功能失效。这进一步强调了： 两种测试提供的是不同维度的信息 在可靠性评估中需要综合使用多种测试方法 电学性能测试应与机械测试相结合 四、工程实践启示 质量控制策略：对于长期可靠性要求严格的器件，应优先采用剪切测试作为键合界面退化的监控手段。 测试计划设计：在加速寿命试验中，需要合理安排剪切测试和拉力测试的取样频率和时机，以获取全面的退化信息。 失效分析框架：当观察到剪切强度下降而拉力值稳定时，应首先怀疑界面退化问题，而非金线本身的质量问题。 标准制定参考：这项研究为行业测试标准的制定提供了重要实验依据，特别是在高温应用场景下。 五、科准测控解决方案：精准测试的专业支撑 理解剪切测试与拉力测试的本质区别，对于选择合适的测试设备至关重要。科准测控的精密微力测试系统正是为此类应用场景而设计： 精准的测试能力：科准测控设备能够以毫牛级分辨率精确测量剪切力和拉力变化，确保即使在长时间热老化后的微小强度变化也能被准确捕捉。 多功能测试平台：我们的系统支持焊球剪切、键合点拉拔、界面剥离等多种测试模式，一台设备即可完成全面的可靠性评估。 智能数据分析：内置专业分析软件可自动生成类似图4-20的趋势曲线，并计算退化速率、预测失效时间，为工艺优化提供数据支撑。 高温环境模拟：可选配温控系统，直接在高温环境下进行原位测试，更真实地模拟实际工作条件。 六、未来展望 随着先进封装技术向更小尺寸、更高密度发展，键合界面的可靠性评估面临新挑战。下一代测试技术可能需要： 开发能够同时测量剪切和拉力的集成测试方法 建立更精细的界面退化预测模型 将机械测试数据与电学、热学性能更紧密关联 结语 White的经典研究清楚地表明：在评估金-铝键合界面长期热可靠性时，焊球-剪切测试比键合点-拉力测试更为敏感和有效。这一认识不仅加深了我们对微电子互连失效机理的理解，也为优化可靠性测试策略提供了科学依据。 科准测控的精密测试解决方案，为工程师执行这类关键的可靠性评估提供了专业工具支持。通过科学选择测试方法和设备，工程师能够更早地发现潜在可靠性风险，确保微电子器件在严苛环境下的长期稳定运行。
2026-01-08 09:46
在微电子封装领域，细节距键合工艺的开发与质量控制面临着巨大挑战。工程师们常常需要在缺乏大量破坏性测试的前提下，快速评估或预测一个键合点的剪切力性能。能否根据焊球的表观尺寸，通过一个可靠的数学模型来预估其剪切力？行业内的研究数据为我们揭示了可能性。今天，科准测控小编将带您了解如何基于实验数据建立并应用预测模型，实现从“测量”到“预估”的关键跨越。 一、从平方定律到经验公式 直观上，我们可能会假设剪切力（SF）与有效焊接面积成正比，即与焊接区域当量直径（D）的平方成正比（平方定律）。然而，对下表中大量实际工艺数据的分析表明，真实关系偏离了简单的平方定律。 使用25μm线径金丝，四种球形键合过程的平均自动键合工艺参数 通过对数据的高精度曲线拟合，研究人员得到了一个更为准确的经验公式： 其中，SF单位为gf，D为实际金属间化合物（IMC）区域的当量直径（单位μm）。该公式的相关系数r²高达0.999，显示了极强的统计显著性。 不过这个公式的指数（1.7）小于2，揭示了微观尺度下的复杂性：随着尺寸缩小，边缘效应、界面应力分布不均匀性以及材料尺寸效应等因素的影响变得更加显著，导致剪切力的增长略低于面积的线性增长。 二、模型的应用：双向预测与工艺评估 这个经验公式为工艺工程提供了强大的实用工具，主要在两个方向上发挥作用： 正向预测剪切力：如果通过破坏性分析（如KOH腐蚀）已知某工艺条件下键合点的实际IMC百分比，从而计算出有效焊接直径D，便可以利用上述公式直接预测其预期的平均剪切力（SF）。例如，对于一个实测球径38μm、焊接比例为80%的焊点，其有效焊接直径D为34μm，代入公式可预测剪切力约为13.4gf。将此结果与下图的理论最大值（约12gf）对比，可以发现这是一个相当不错的近似，验证了模型的实用性。 反向估算焊接质量：反之，如果通过非破坏性方法（如光学测量）知道了焊球外径，并测得实际剪切力，也可以利用该模型反向估算大致的有效焊接面积或IMC百分比，从而间接评估界面焊接质量。 三、实用化公式：基于光学测量的快速评估 考虑到实际生产中无法对每个焊点进行破坏性IMC测量，研究人员进一步推导了更便于使用的公式： 这个公式（r²=0.98）在假设焊点下方平均有80%的焊接区域的前提下，直接使用光学测量的焊球外径进行计算。它极大简化了评估流程，只需常规的尺寸测量即可对剪切力进行快速估算，特别适用于工艺监控和快速比较。 四、模型的边界与注意事项 尽管模型非常有用，但必须清楚其适用范围和前提： 适用范围 ：该系列公式主要适用于细节距（≤70μm至100μm）键合工艺的近似估算。 核心假设 ：上述公式基于一个固定的焊接比例（80%）假设。实际生产中，焊接比例会因清洁度、参数、材料等因素在65%-90%甚至更大范围内波动，这会导致预测出现偏差。 指导意义大于绝对精确 ：这些公式的价值在于为工艺开发和质量趋势监控提供强有力的量化指导和快速基准，而非替代精确的实物测试。它们能帮助工程师判断工艺调整的方向是否正确，以及当前性能离潜在上限还有多大空间。 无论是建立经验公式，还是在生产中对模型进行验证与应用，其根基都在于精准、可靠的原始测试数据。剪切力与焊球尺寸的测量误差，将直接导致预测失准或模型失效。科准测控的精密力学测试与测量系统，正是确保数据质量的关键，我们提供的不仅仅是测试设备，更是帮助客户将实验数据转化为知识、将经验转化为模型的核心能力，助力企业在细节距封装时代实现更高效、更可靠的工艺控制。
2026-01-08 09:45
