高速先生成员--姜杰 高速先生今年写了不少AC耦合电容相关的文章，本来已经有点“审美疲劳”了，但是看到这个案例，还是忍不住再写一篇—— 一方面，这个案例完美展示了反焊盘设计两个基本因素的影响；另一方面，似乎有不少Layout工程师都有类似的困惑…… 话说那天早上刚上班，就有人急匆匆的找到高速先生，定睛一看，是近期仿真过的某单板的设计负责人小刘。可是，板子不是刚投出去吗？看着小刘着急忙慌的样子，高速先生有种不太好的预感。 小刘说他设计总结的时候，发现单板上的同一种高速信号的AC耦合电容反焊盘不一样，心里有些没底，需要高速先生帮忙确认。 困惑小刘的两种反焊盘分别长这样： 右边是我们常见的AC耦合电容反焊盘，简简单单的矩形。 左边的反焊盘略复杂，但是稍有设计经验的Layout工程师也能看出来，这里是兼容设计，也就是常说的“叠焊盘”。兼容设计需要同时保证多个链路的阻抗连续性，所以反焊盘根据器件的布局进行挖空。 器件布局都不一样，反焊盘不一样不是很正常吗？ 如果只是这个问题，高速先生当然不会写这篇文章啦。小刘的问题显然更有深度：除了大小，为啥这俩反焊盘的挖空层数也不一样呢？板上常规设计AC耦合电容的矩形反焊盘，会比兼容设计的异形反焊盘的挖空层面多了一层？是不是哪里搞错了？ 高速先生松了口气，投出去的板子没有问题，小刘的问题是个好问题。 之前的文章介绍过，我们可以把信号路径上的AC耦合电容看作微带线，一段又宽又厚的走线，根据传输线的阻抗理论，线宽越大，铜厚越厚，阻抗就越小。 由于AC耦合电容处的阻抗通常比信号走线特征阻抗低，因此需要挖反焊盘来提高阻抗，反焊盘的大小，以及挖空层面的数量，是影响阻抗的两个主要因素。 在回答小刘的问题之前，我们可以看看当前设计走线阻抗控100欧姆时，几种布局方式AC耦合电容的阻抗情况。 常规布局的AC耦合电容（参考第四层GND平面）阻抗96.9欧姆： 兼容设计中的一字布局AC耦合电容阻抗97.6欧姆： 兼容设计中的常规布局AC耦合电容阻抗98欧姆： 各种情况下的阻抗都能比较好的优化到97欧姆左右。 为了更清楚的说明问题，高速先生做了个仿真对比：常规设计的AC耦合电容矩形反焊盘比之前少挖空一层，参考L3层GND平面（与兼容设计的电容反焊盘挖空层数保持一致），阻抗瞬间由96.9欧姆跌落至93.1欧姆！ 看到常规布局AC耦合电容反焊盘不同挖空层面的阻抗对比，小刘恍然大悟…… 问题来了： 本案例中AC耦合电容常规设计与兼容设计的反焊盘挖空层数不一样的原因是什么？
2025-12-23 09:24
CBL系列12英寸台式低噪声放大器（LNA）1-60GHzCernex公司推出的CBL系列12英寸台式低噪声放大器（LNA）支持1-60GHz频段，典型型号覆盖1-40GHz至1-50GHz，部分型号可扩展至60GHz，具备高增益、超低噪声系数及军工级可靠性，适用于雷达、通信、卫星测试等场景。核心参数与性能频段覆盖l 基础型号：CBL系列典型覆盖1-40GHz至1-50GHz，如CBLU1183540（0.1-18GHz）、CBL26405040（26.5-40GHz）。l 扩展型号：CBL30603050明确支持30-60GHz，增益30dB，噪声系数5dB，适用于高频段信号放大（如航空航天、太赫兹研究）。关键指标l 增益：30-50dB（典型35dB），满足高灵敏度信号接收需求。l 噪声系数：≤6dB（部分型号如CBL08123015低至1.5dB），显著降低信号失真。l 输出功率：P1dB≥10dBm，IP3=20dBm，支持高线性度传输。l 驻波比：输入/输出VSWR≤2.25:1，确保阻抗匹配稳定性。结构与可靠性l 12英寸台式铝壳：防震设计，可直接叠放，适应实验室及外场环境。l 工作温度：0°C-50°C（储存温度-65°C至+150°C），湿度95% RH（无冷凝）。l 接口：50Ω输入/输出，K-F（2.92mm）连接器，无需额外支架。典型应用场景雷达系统研发l 用于雷达前端信号放大，提升目标检测灵敏度与分辨率（如CBL26405040支持毫米波雷达）。l 结合光电探测器，实现飞秒激光脉冲、高速光通信信号的微弱电流检测。卫星通信测试l 驱动行波管放大器（TWTA），确保卫星载荷信号稳定传输（如CBLU1183540适用于卫星通信）。l 支持高频段信号生成与校准，满足高功率实验室需求。5G/6G与微波通信l CBL06183730（6-18GHz）专为5G/6G通信测试设计，支持电子战装备信号增强。l 覆盖Sub-6GHz及毫米波频段，适配未来通信技术演进。航空航天与高频研究l CBL30603050（30-60GHz）支持航空航天高频段信号放大，适用于太赫兹研究及高频测试。优势总结超宽带覆盖：支持1-60GHz频段，满足多场景需求。高性能指标：高增益、低噪声、高线性度，适配精密测试。军工级可靠性：防震设计、宽温工作范围，适应严苛环境。即插即用：台式设计，无需额外安装，简化操作流程。 型号对比型号频率范围增益（dB）噪声系数（dB）P1dB（dBm）应用场景 CBLU11028280.1-10GHz282.8010高功率实验室、微波源测试 CBLU11835400.1-18GHz354.0010卫星通信、雷达系统 CBL061837306-18GHz373.00175G/6G通信测试、电子战装备 CBL2640504026.5-40GHz504.0010毫米波雷达、太赫兹研究 CBL3060305030-60GHz305.005航空航天、高频段信号放大
2025-12-23 09:17
在电子设备散热设计中，导热垫片扮演着至关重要的“界面桥梁”角色。其性能绝非单一导热系数所能概括，而是硬度、厚度与压缩比三大要素协同作用的结果。 一、 硬度：在贴合与支撑间寻求平衡 硬度，通常以邵氏硬度衡量，是决定导热垫片界面贴合能力与机械完整性的基础。 技术影响解析低硬度（高柔软度）的优势：硬度值低的材料具备极佳的顺应性。在压力下能充分填充发热体与散热器之间的微观空隙，有效降低接触热阻，特别适用于表面不平整或存在轻微翘曲的界面。硬度的另一面：硬度过低可能导致垫片安装性差、易撕裂或抗穿刺能力弱。为此，傲琪电子在部分超软系列产品中，创新性地引入微观增强结构，在维持优异贴合性的同时，提升了机械强度和操作便利性，避免了因物理损伤导致的失效风险。 傲琪电子解决方案我们提供从超软到中等硬度的全系列导热垫片。例如，针对需要极致贴合的芯片与复杂外壳间隙，我们的超软系列（硬度 Shore C 25±5）能实现“类流体”般的填充；而对于需要一定支撑性、便于自动化贴装的PCB板级应用，则提供硬度适中的系列（如Shore C 40-50），确保可靠性与效率。 二、 厚度：不止于热阻公式的计算 根据热阻公式（R=δ/λA），理论上厚度(δ)越小，热阻(R)越低。然而，实际应用远比公式复杂。 技术影响解析厚度的补偿作用：厚度选择的根本任务是补偿装配间隙。若垫片厚度小于实际间隙，将导致接触不良，散热效能急剧下降。设计中必须优先考虑组件间的最大预期间隙。平衡的艺术：过厚的垫片固然能保证填充，却会拉长热通路，增加体积热阻。理想厚度是在确保充分接触的前提下，尽可能薄。 傲琪电子解决方案傲琪电子不仅提供从0.3mm到10.0mm的标准厚度选项，其核心优势在于应对多高度差场景。对于同一平面上存在不同高度的元器件（如GPU周围的显存与供电模块），我们可以通过精密计算，提供定制化的阶梯厚度解决方案或推荐具备高压缩比、宽泛适应性的单一面垫片，一次性覆盖所有元件，简化装配并保证各触点压力均匀。 三、 压缩比：激活界面性能的关键因子 压缩比，指垫片在受压下的厚度变化率，是决定其界面填充效率的动态性能指标。 技术影响解析高压缩比的价值：高压缩比材料（如>30% @ 50psi）在较低压力下即可产生显著形变，能快速填满不规则空隙，增大有效接触面积。这在螺丝锁固力有限或元件对压力敏感（如陶瓷封装）的应用中至关重要。压力分布与回弹：良好的压缩回弹性确保了在长期震动或冷热循环中，垫片能持续维持界面的紧密接触，防止因材料蠕变或松弛导致的热阻回升。 傲琪电子解决方案我们着力开发的高性能导热垫片系列，特别优化了压缩应力-应变曲线。它们能在中等安装压力下实现优异的界面填充，避免为追求低热阻而施加过大锁固力，从而保护精密元器件。例如，我们的高压缩比系列产品，专为汽车电子、服务器等高振动、高可靠性要求的领域设计，确保在严苛环境下性能持久稳定。 四、 协同设计：傲琪电子如何为客户打造定制化散热方案 硬度、厚度、压缩比并非孤立参数，其最佳组合完全取决于具体的应用场景。 场景化选型指南（傲琪电子视角）1.高性能计算/服务器： 挑战：高热量密度，要求极低热阻与长期可靠性。 傲琪方案：推荐中等偏低硬度（保障贴合）、精准厚度（匹配间隙）、中等压缩比兼具良好导热系数的材料，如傲琪高性能硅胶垫片系列，注重长期使用下的低出油率与稳定性。 2.车载电子（如域控制器、BMS）： 挑战：宽温域（-40℃~125℃+）、高振动、高可靠性。 傲琪方案：选用宽温稳定性好、抗冷热冲击、耐振动疲劳的材料。硬度适中以确保支撑性，压缩比经优化以适应壳体可能发生的微变形。我们的车规级导热垫片已通过相关可靠性测试。 3.消费电子（如智能手机、平板）： 挑战：空间极度紧凑，元件高度密集且不一致。 傲琪方案：主打超薄化（如0.3mm, 0.5mm）与高柔韧性。提供低硬度、高压缩比的超薄垫片或石墨-硅胶复合衬垫，在极限空间内实现高效均热与填充。 4.工业电源/光伏逆变器： 挑战：常有较大安装间隙与高度差，需兼顾绝缘与散热。 傲琪方案：提供较厚规格（1.5-10.0mm）且具备高压缩比的垫片，一次性填充大间隙。同时，可根据需求复合绝缘膜，提供集成化解决方案。 结语 选择一款合适的导热垫片，是一场关于硬度、厚度与压缩比的精密权衡。傲琪电子的角色不仅是材料供应商，更是散热问题的合作伙伴。凭借对材料科学的深刻理解与丰富的工程应用经验，致力于为客户提供不止于标准品的精准热界面解决方案。我们相信，正确的材料选择与设计匹配，是释放设备潜能、保障其长期可靠运行的关键一步。
2025-12-23 09:15
设置文件的访问时间和修改时间（微秒级别）1.头文件#include2.函数原型int utimes(const char *filename, const struct timeval times[2]);3.参数filrname：要修改时间的文件名。times：是一个包含两个 struct timeval 的数组，第一个表示访问时间，第二个表示修改时间。如果设置为 NULL，utimes 会使用当前时间。下面介绍一下struct timeval结构体：struct timeval {long tv_sec;/* 秒seconds */long tv_usec; /* 微秒microseconds */};4.返回值成功返回0，失败返回-1，并设置errno以指示返回错误类型 。5.示例：（使用utimes修改文件访问时间）#include #include #include #include #include #include #include #include void update_file_time(const char *filename);int main(){const char *filename = "file_utimes.txt";int res = 0;struct stat statbuf;printf("File name: %s\n", filename);if (stat(filename, &statbuf) == -1) { if (errno == ENOENT) {fprintf(stderr,"File does not exist: %s\n", filename); } else {perror("stat"); }return EXIT_FAILURE;}update_file_time(filename);return EXIT_SUCCESS;}void update_file_time(const char *filename){struct timeval times[2];int i;for (i=0; i
2025-12-23 08:50
你遇到的是 ESP32 编译过程中 bootloader 配置阶段的 CMake 缓存冲突错误，核心原因是系统中混合了 ESP-IDF v5.5.1 和 v5.4.3 两个版本的路径，导致 CMake 识别的源码路径与缓存中记录的不一致。 错误原因分析 这个错误提示非常明确： CMake 当前尝试使用 D:/v5.5.1/frameworks/esp-idf-v5.5.1 路径的 bootloader 源码 但 CMake 缓存中记录的却是 D:/esp-idf-v5.4.3 路径的源码 路径不匹配导致配置阶段失败，进而中断整个编译流程 解决方案 下面是一步步的修复操作，你可以按顺序执行： 1. 彻底清理编译缓存（最关键） 首先删除项目的 build 目录，这是解决 CMake 缓存冲突最直接有效的方法： # 进入你的项目目录 cd F:\\\\xiaozhi-esp32-main # 删除整个 build 目录（Windows 命令行） rmdir /s /q build # 如果使用 PowerShell，执行这个命令 Remove-Item -Recurse -Force build 2. 检查并重置 ESP-IDF 环境 确保你的终端中加载的是正确的 ESP-IDF v5.5.1 环境，避免版本混用： # 进入 ESP-IDF v5.5.1 目录 cd D:/v5.5.1/frameworks/esp-idf-v5.5.1 # 重置并重新加载 ESP-IDF 环境（Windows cmd） export.bat # 如果是 PowerShell，执行 .\\\\export.ps1 3. 重新配置并编译项目 回到你的项目目录，重新执行编译命令： # 回到项目目录 cd F:\\\\xiaozhi-esp32-main # 清除 idf.py 缓存并重新配置 idf.py fullclean # 重新配置项目（指定目标芯片，确保是 esp32s3） idf.py set-target esp32s3 # 重新编译 idf.py build 4. 额外排查（如果上述步骤仍失败） 如果问题依旧，检查是否有残留的环境变量或配置冲突： 关闭当前所有终端窗口，重新打开一个全新的终端 确认 IDF_PATH 环境变量指向正确版本： # 查看 IDF_PATH 配置 echo %IDF_PATH% 正确的输出应该是 D:/v5.5.1/frameworks/esp-idf-v5.5.1，如果不是，手动设置： set IDF_PATH=D:/v5.5.1/frameworks/esp-idf-v5.5.1 检查项目的 sdkconfig 文件，确认没有硬编码的旧版本路径（用记事本打开 sdkconfig，搜索 5.4.3，如果有则删除相关行） 总结 核心问题：CMake 缓存中记录的 ESP-IDF 路径（v5.4.3）与当前使用的路径（v5.5.1）不匹配，导致配置失败。 关键修复：删除 build 目录清除缓存 + 重置 ESP-IDF 环境 + 重新编译。 预防措施：编译不同版本 ESP-IDF 的项目时，使用全新的终端窗口，避免多个版本环境混用。 按上述步骤操作后，bootloader 的 configure 阶段应该能正常通过，整个项目也能完成编译。
2025-12-23 07:07
2025-12-22 19:39
瑞萨RA6E2地奇星开发板是一款最小系统开发板，要为其添加显示功能就需要进行相应的连线，为省去连线的麻烦，可利用其它开发控制板来减弱连线的数量并增强显示的稳定性。 为此，显示屏与开发板的连接关系为： CS---P013 DC---P014 RST---P500 SDI---P207 SCK---P302 所作高低电平输出的语句定义为： #define LCD_CS_CLRR_IOPORT_PinWrite(&IOPORT_CFG_CTRL, BSP_IO_PORT_00_PIN_13, BSP_IO_LEVEL_LOW) #define LCD_CS_SETR_IOPORT_PinWrite(&IOPORT_CFG_CTRL, BSP_IO_PORT_00_PIN_13, BSP_IO_LEVEL_HIGH) #define LCD_DC_CLRR_IOPORT_PinWrite(&IOPORT_CFG_CTRL, BSP_IO_PORT_00_PIN_14, BSP_IO_LEVEL_LOW) #define LCD_DC_SETR_IOPORT_PinWrite(&IOPORT_CFG_CTRL, BSP_IO_PORT_00_PIN_14, BSP_IO_LEVEL_HIGH) #define LCD_RST_CLRR_IOPORT_PinWrite(&IOPORT_CFG_CTRL, BSP_IO_PORT_05_PIN_00, BSP_IO_LEVEL_LOW) #define LCD_RST_SETR_IOPORT_PinWrite(&IOPORT_CFG_CTRL, BSP_IO_PORT_05_PIN_00, BSP_IO_LEVEL_HIGH) #define LCD_SDI_CLRR_IOPORT_PinWrite(&IOPORT_CFG_CTRL, BSP_IO_PORT_02_PIN_07, BSP_IO_LEVEL_LOW) #define LCD_SDI_SETR_IOPORT_PinWrite(&IOPORT_CFG_CTRL, BSP_IO_PORT_02_PIN_07, BSP_IO_LEVEL_HIGH) #define LCD_SCK_CLRR_IOPORT_PinWrite(&IOPORT_CFG_CTRL, BSP_IO_PORT_03_PIN_02, BSP_IO_LEVEL_LOW) #define LCD_SCK_SETR_IOPORT_PinWrite(&IOPORT_CFG_CTRL, BSP_IO_PORT_03_PIN_02, BSP_IO_LEVEL_HIGH) 对该款显示屏的初始化函数为： void Lcd_Init(void) { unsigned int i; Lcd_Reset(); Lcd_WriteIndex(0x11); R_BSP_SoftwareDelay(120, BSP_DELAY_UNITS_MILLISECONDS); Lcd_WriteIndex(0xB1); Lcd_WriteData(0x01); Lcd_WriteData(0x2C); Lcd_WriteData(0x2D); Lcd_WriteIndex(0xB2); Lcd_WriteData(0x01); Lcd_WriteData(0x2C); Lcd_WriteData(0x2D); Lcd_WriteIndex(0xB3); Lcd_WriteData(0x01); Lcd_WriteData(0x2C); Lcd_WriteData(0x2D); Lcd_WriteData(0x01); Lcd_WriteData(0x2C); Lcd_WriteData(0x2D); Lcd_WriteIndex(0xB4); Lcd_WriteData(0x07); Lcd_WriteIndex(0xC0); Lcd_WriteData(0xA2); Lcd_WriteData(0x02); Lcd_WriteData(0x84); Lcd_WriteIndex(0xC1); Lcd_WriteData(0xC5); Lcd_WriteIndex(0xC2); Lcd_WriteData(0x0A); Lcd_WriteData(0x00); Lcd_WriteIndex(0xC3); Lcd_WriteData(0x8A); Lcd_WriteData(0x2A); Lcd_WriteIndex(0xC4); Lcd_WriteData(0x8A); Lcd_WriteData(0xEE); Lcd_WriteIndex(0xC5); Lcd_WriteData(0x0E); Lcd_WriteIndex(0x36); Lcd_WriteData(0xC0); Lcd_WriteIndex(0xe0); Lcd_WriteData(0x0f); Lcd_WriteData(0x1a); Lcd_WriteData(0x0f); Lcd_WriteData(0x18); Lcd_WriteData(0x2f); Lcd_WriteData(0x28); Lcd_WriteData(0x20); Lcd_WriteData(0x22); Lcd_WriteData(0x1f); Lcd_WriteData(0x1b); Lcd_WriteData(0x23); Lcd_WriteData(0x37); Lcd_WriteData(0x00); Lcd_WriteData(0x07); Lcd_WriteData(0x02); Lcd_WriteData(0x10); Lcd_WriteIndex(0xe1); Lcd_WriteData(0x0f); Lcd_WriteData(0x1b); Lcd_WriteData(0x0f); Lcd_WriteData(0x17); Lcd_WriteData(0x33); Lcd_WriteData(0x2c); Lcd_WriteData(0x29); Lcd_WriteData(0x2e); Lcd_WriteData(0x30); Lcd_WriteData(0x30); Lcd_WriteData(0x39); Lcd_WriteData(0x3f); Lcd_WriteData(0x00); Lcd_WriteData(0x07); Lcd_WriteData(0x03); Lcd_WriteData(0x10); Lcd_WriteIndex(0x2a); Lcd_WriteData(0x00); Lcd_WriteData(0x00); Lcd_WriteData(0x00); Lcd_WriteData(0x7f); Lcd_WriteIndex(0x2b); Lcd_WriteData(0x00); Lcd_WriteData(0x00); Lcd_WriteData(0x00); Lcd_WriteData(0x9f); Lcd_WriteIndex(0xF0); Lcd_WriteData(0x01); Lcd_WriteIndex(0xF6); Lcd_WriteData(0x00); Lcd_WriteIndex(0x3A); Lcd_WriteData(0x05); Lcd_WriteIndex(0x29); } 实现数据显示的函数为： void LCD_ShowIntNum(uint16_t x,uint16_t y,uint16_t num,uint8_t len,uint16_t fc,uint16_t bc) { uint8_t t,temp; uint8_t enshow=0; uint8_t sizex=8; for(t=0;t<len;t++) { temp=(num/mypow(10,len-t-1))%10; if(enshow==0&&t<(len-1)) { if(temp==0) { LCD_ShowChar(x+t*sizex,y,\' \',fc,bc) continue; } else enshow=1; } LCD_ShowChar(x+t*sizex,y,temp+48,fc,bc); } } 实现显示效果测试的主程序为： void hal_entry(void) { Lcd_Init(); Lcd_Clear(RED); Gui_DrawFont_GBK16(15,5,BLACK,YELLOW,\"RA6E2 & LCD\"); LCD_ShowChar(10,45,\'V\',YELLOW ,RED); LCD_ShowIntNum(20,45,123,3,WHITE,RED); while(1) { R_BSP_SoftwareDelay(500, BSP_DELAY_UNITS_MILLISECONDS); R_IOPORT_PinWrite(&g_ioport_ctrl, BSP_IO_PORT_04_PIN_02, BSP_IO_LEVEL_LOW); R_BSP_SoftwareDelay(500, BSP_DELAY_UNITS_MILLISECONDS); R_IOPORT_PinWrite(&g_ioport_ctrl, BSP_IO_PORT_04_PIN_02, BSP_IO_LEVEL_HIGH); } } 经程序的编译和下载，其测试效果如下： 显示效果图
2025-12-22 18:20
我用KEIL UV3 +JLINK调试程序,外设监视窗口不能反映寄存器真实内容,请问什么原因?如何解决?
2025-12-22 16:44
1、系统启动，给CAN总线发送数据，总线设备通讯正常 2、制造总线错误，当总线设备错误帧达到128之后，总线进入被动错误，总线数据发送失败，rt_device_write函数返回0 3、恢复总线设备，CAN总线错误帧降低到0，rt_device_write仍然返回0，但总线设备通讯正常
2025-12-22 16:29
笙泉与东芝携手, 打造服务器风扇全新BLDC解决方案 (基于MA853 ASIC) 强强联手，共推MA853专用ASIC — 为高效散热而生 在服务器(Server)、交换机、电源供应器、变频器及太阳能板...等系统中，散热风扇扮演着极为关键的角色，对于系统稳定与效能表现具有深远影响。针对此类热门产品的散热需求，笙泉科技携手东芝电子(Toshiba)共同开发，已正式推出新一代 BLDC ASIC — MA853。此款三相无刷马达控制ASIC，整合智能相位控制技术(InPAC)与闭环速度控制(Closed loop speed control)功能，可大幅提升驱动效率与转速稳定性。 笙泉的服务器散热风扇方案系采用32位ASIC (MA853)作为主控，搭载双核心 Cortex®-M0 与东芝电子(Toshiba)的 MCD 马达控制模块，实现高效率的全弦波驱动控制。MA853内建高效能预驱动器(Gate Driver)，可灵活驱动多种外部 N-MOSFET 组件，具备高度整合性与弹性；且支持多点式转速控制，并内建多重保护机制，有效提升风扇运转的稳定性与安全性，满足各类高效散热应用的严苛需求。 InPAC：马达效能优化关键 InPAC 透过智能调整驱动电压与电流的相位，使两者完美同步，实现高效能驱动，进一步释放马达的最大有效功率。这项创新的硬件技术(InPAC)可在马达调校初期自动初始化，藉由自动侦负载变化并实时优化马达参数，大幅减少工程人员的调校工作，有效缩短开发时程，全面提升产品开发效率与稳定性。 智能调校，稳定驱动 传统的有感应马达通常需搭配三个霍尔传感器(Hall Latch)来侦测转子位置；而本方案的MA853 仅需一个霍尔组件(Hall Element)即可完成侦测，大幅简化硬件设计。此外，MA853 在调机阶段无需透过 Keil C修改程序，搭配专属 UI 界面即可轻松完成各项参数设定。该 UI 界面支持缓存器读写、参数设定储存与读取、差异比对等功能，让开发与调校过程更加直觉高效。 透过 UI 界面，用户可设定马达的过压保护与欠压保护，避免马达在高于或低于额定电压的情况下运转，确保系统稳定与安全。针对转速控制，MA853 支持多点 PWM 曲线斜率调整功能，可根据输入 duty 对应转换为输出 duty，实现马达转速的线性化控制，或依需求设定非线性输出。 闭环稳速，散热首选 同时支持闭环速度控制技术，可在动态功率波动和负载变化的情况下，智慧调节并稳定马达转速。此功能对于如服务器风扇等关键应用，或其他对散热稳定性要求极高的场景而言，具备重要价值。 再者，当外部 PWM 输入为 0 时，若马达因外力带动而转动，一般马达控制器仍会输出 FG (Frequency Generator)方波讯号，可能导致上位控制系统误判马达正在运转。笙泉的MA853则具备更智能的设计：仅在 PWM 有输入 duty（且大于 UI 所设定的停止运转门槛值）或 PWM 处于高电位时，才会输出 FG 讯号。因而有效避免误判情况，确保系统侦测的准确性与稳定性。 方案特性 智能相位控制(InPAC)、闭环速度控制技术 ● 双核心Cortex®-M0、MCD马达控制，封装QFN32 (4x4x0.85mm) ● 内建LDO 5V与N/N Gate Driver，可放入25mm圆形中空PCB ● 仅需一件霍尔传感器(Hall element or latch) 有感全弦波控制 ● 电压12V，PWM载波可达93.7KHz，转速可达50,000 rpm ● 透过软件可设置参数，并透过4线式(COM Port)烧写参数 ● 可实行多点式转速控制，更加弹性 ● Open/Close loop控制、过/欠压点保护(可固件/硬件)、过温保护(硬件) 、过流保护(硬件) 应用领域: 服务器冷却风扇、鼓风机、光伏能板/系统的散热风扇、水冷散热....等。 应用方框图: MA853规格表: *另可浏览笙泉科技官网服务器风扇方案 & 相关产品(MA853)页面.
2025-12-22 16:26
