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本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子
2021-01-30 13:20
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍,开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。全SiC功率模块的开关损耗全SiC功率模块与现有
2018-11-27 16:37
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET 开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计优化,减少MOSFET的
2016-01-04 14:59
1、CCM 模式开关损耗 CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式,DCM 模式很简单了。
2018-01-13 09:28
使用示波器测量电源开关损耗。
2016-05-05 09:49
功率MOSFET的开关损耗分析。
2021-04-16 14:17
如图片所示,为什么MOS管的开关损耗(开通和关断过程中)的损耗是这样算的,那个72pF应该是MOS的输入电容,2.5A是开关电源限制的平均电流
2018-10-11 10:21
MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节,但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上,PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索,那么该如何量化评估呢?
2022-10-19 10:39
一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗;关断
2021-10-22 10:51
CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式,DCM 模式很简单了。
2023-07-17 16:51