UMS正在开发用于空间应用的系列产品。新型CHA6710-FAB是采用密封金属陶瓷封装的GaN 5W X波段（8至12.75GHz）中功率放大器。 CHA67
2020-07-07 08:50
GaN功率半导体器件集成提供应用性能
2023-06-21 13:20
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件
2017-06-16 10:37
单片GaN器件集成驱动功率转换的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59
转换中期可以达到500W以上。对于尺寸为5mm x 2mm的典型功率GaN器件，这个值可以达到每mm2 50W。所以用户也就无需对SOA曲线显示的这个区域只支持短脉冲这
2019-07-12 12:56
基于GaN器件的产品设计可以提高开关频率，减小体积无源器件，进一步优化产品功率密度和成本。然而，由于小GaN
2023-06-16 08:59
GaN功率集成电路技术:过去，现在和未来
2023-06-21 07:19
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47
GaN功率集成电路的进展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44
GaN功率集成电路
2023-06-19 08:29
