UMS正在开发用于空间应用的系列产品。新型CHA6710-FAB是采用密封金属陶瓷封装的GaN 5W X波段（8至12.75GHz）中功率放大器。 CHA67
2020-07-07 08:50
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比，CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率
2019-06-21 08:27
您好，有人能告诉我如何在原理图窗口中添加GaN器件，因为当我在ADS的原理图窗口中搜索它时，它只显示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一个功率放大器模拟，我需要一个
2019-01-17 15:55
GaN功率半导体器件集成提供应用性能
2023-06-21 13:20
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件
2017-06-16 10:37
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体
2023-02-21 16:01
。GaN器件尤其在高频高功率的应用领域体现了其独特的优势，其中，针对GaN功率器
2023-06-25 15:59
转换中期可以达到500W以上。对于尺寸为5mm x 2mm的典型功率GaN器件，这个值可以达到每mm2 50W。所以用户也就无需对SOA曲线显示的这个区域只支持短脉冲这
2019-07-12 12:56
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因，介绍了几种GaN
2019-06-25 07:41
