### WFF10N60-VB MOSFET 产品简介WFF10N60-VB 是一款单 N-通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于中高压应用。其最大漏源电压(V_DS)为 650V
2025-09-22 16:30 微碧半导体VBsemi 企业号
1. **产品简介** WFF5N60C-VB是一款采用TO220F封装的单N通道MOSFET,专为中等功率和高耐压应用设计。它具有650V的漏源电压(VDS)和最大漏极电流(ID)为
2025-09-22 17:04 微碧半导体VBsemi 企业号
### WFF8N60-VB MOSFET 产品简介WFF8N60-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 通道 MOSFET,设计用于中高压电源管理应用。它具有 650V 的高耐压能力,非常
2025-09-22 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. **产品简介:**WFF5N60-VB 是一款单 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于高电压环境下的电力开关应用。该产品的最大漏极-源极电压(VDS)为
2025-09-22 17:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### WFF7N60C-VB MOSFET 产品简介WFF7N60C-VB 是一款单 N-通道功率 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于中高压电力应用。该 MOSFET 的最大漏源电压
2025-09-22 17:10 微碧半导体VBsemi 企业号
### WFF5N60B-VB MOSFET 产品简介WFF5N60B-VB 是一款采用 TO220F 封装的 N 沟道功率 MOSFET,设计用于高压开关电源、电力电子和电动工具等领域。该
2025-09-22 16:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:WFF12N60-VBWFF12N60-VB是一款高压N通道MOSFET,采用TO220F封装,设计用于要求较高耐压的电力电子应用。其漏极-源极电压(VDS)为650V,栅极-源极
2025-09-22 16:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:WFF4N60-VBWFF4N60-VB是一款高耐压的N通道MOSFET,采用TO220F封装,具有650V的漏极-源极电压(VDS)和±30V的栅极-源极电压(VGS),适用于
2025-09-22 16:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**WFF7N60-VB** 是一款采用 **TO220F** 封装的 **单N沟道MOSFET**,适用于高电压、低电流的开关电源和电力电子应用。该MOSFET具有 **650V
2025-09-22 17:12 微碧半导体VBsemi 企业号