1.概述W632GU6NB是一个2G位DDR3L SDRAM,组织为16777216个字 8个银行 16位。该设备实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速传输速率,适用于各种
2024-03-28 11:02 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W631GU6NB是1G位DDR3L SDRAM,组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速传输速率,适用于各种应用。该
2024-03-27 18:25 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W632GU6NB是一个2G位DDR3L SDRAM,组织为16777216个字 8个银行 16位。该设备实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速传输速率,适用于各种
2024-03-28 14:47 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W631GU6MB是1G位DDR3L SDRAM,组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速传输速率,适用于各种应用。该
2024-03-28 15:01 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 一、产品简介AM90N06-09B-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO263封装,具备优异的电气特性和稳定性。这款MOSFET适用于需要高功率密度和高效能的电子应用领域
2024-12-02 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号
1.概述W634GU6QB是一个4G位DDR3L SDRAM,组织为33554432个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速传输速率,适用于各种
2024-03-27 15:05 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 X3C09F1-20S 是一款定向耦合器,频率为 700 MHz 至 1 GHz,耦合为 19.7 至 20 dB,耦合变化 ±0.5
2023-08-15 15:41 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 X4C09F1-30S 是一款定向耦合器,频率为 460 MHz 至 1 GHz,耦合为 30 至 32 dB,耦合变化
2023-08-11 10:01 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号