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型号：EP4CE<b class='flag-s-7'>10F17I7</b>N 品牌：

EP4CE10F17I7N,Cyclone IV FPGA设备,INTEL/ALTERAEP4CE10F17I7N,Cyclone IV FPGA设备,INTEL

2023-02-20 17:03 深圳市金和信科技有限公司 企业号

型号：240N<b class='flag-s-7'>10F7</b>-VB 品牌：微碧

### 一、240N10F7-VB产品简介240N10F7-VB是VBsemi公司推出的一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，具有高效的导通特性和低导通电阻。该器件设计用于高电压和高电流

2024-07-10 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：BLP<b class='flag-s-7'>7G22-10</b> 品牌：

BLP7G22-10型号简介       BLP7G22-10是Ampleon(安谱隆)推出的一款LDMOS 功率晶体管，它采用了先进的 LDMOS 技术

2024-08-21 17:33 立年电子科技 企业号

型号：BLF<b class='flag-s-7'>7G10</b>LS-250 品牌：

BLF7G10LS-250型号简介      BLF7G10LS-250是Ampleon(安谱隆)推出的一款功率 LDMOS 晶体管 ，它的效率高达 27

2024-09-25 12:06 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7NE10</b>L-VB 品牌：微碧

### 一、7NE10L-VB 产品简介7NE10L-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装形式为TO220。具有100V的耐压能力和低导通电阻特性，适合于需要高效能量转换

2024-11-21 14:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：150N<b class='flag-s-7'>10F7</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介：150N10F7-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，具有100V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS）、3V的阈值电压（Vth

2024-07-06 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号