P FIB 与DB FIB师出同源，最大差异在离子源与蚀刻效率。DB FIB的离子源Ga+容易附着在样品表面，P FIB使用Xe可减少样品Ga污染问题。P FIB可大范围面积快速执行，蚀刻速率提升20倍。
2019-08-15 15:57
离子注入是将离子源产生的离子经加速后高速射向材料表面，当离子进入表面，将与固体中的原子碰撞，将其挤进内部，并在其射程前后和侧面激发出一个尾迹。这些撞离原子再与其它原子碰
2019-10-30 09:10
`Plasma FIB(P-FIB)原理与Dual Beam FIB(DB-FIB)相似，差别如下: [td]离子源Xe（氙离子）PlasmaGa+ (镓离子)蚀刻速率 (Probe current
2018-10-24 11:36
beam, FIB)的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器，目前商用系统的离子束为液相金属离子源(LiquidMetal Ion Source,LMIS)，金属材质为镓(Gallium
2020-02-05 15:13
及服务经验，绝对快速响应，快速到位，快速解决，绝对是您除原厂外的不二选择。 经营各种高折射率材料、低折射率材料、各种灯丝、光控片、水晶片、电子枪头、离子源陶瓷垫片、扩散泵油（OS-15）、机械泵油；扩散泵
2014-05-22 18:55
表面波等离子体激励源设计，不看肯定后悔
2021-04-22 07:01
101) Ion Implanter 离子植入机102) Ion Source 离子源 离子植入机中产生所要植入杂质离子的部分，主要由Arc Chamber ,Fi
2020-02-17 12:16
RT。成都岭海半导体技术有限公司竭诚为您服务。 首单免费FIB（聚焦离子束，Focused Ion beam)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子q1an9加
2015-04-29 16:20
首先说明下，我是负离子门外汉但是现在负离子功能宣传不错，很明显的一点就是负离子浓度越高越好现在想讨论的是，什么样的负离子发生器负
2011-04-12 10:21
近年来，等离子体技术的使用范围正在不断扩大。在半导体制造、杀菌消毒、医疗前线等诸多领域，利用等离子体特性的应用不断壮大。CeraPlas® 是TDK 开发的等离子体发生器，与传统产品相比，它可以在
2022-05-18 15:16
