之间的剂量关系：截止电压（VT0）和动态电阻rT：图2表明，对于SiC SBD模块，Eon的剂量关系几乎不存在，并且在上述“标称”模式（Eonnom）下测量的Eon值相当低。图1：Vcesat和剂量之间
2023-02-22 16:53
如图是一个简单的单晶体管放大器。如果电压源Vcc给到是20V，请问在没有信号输入的情况下最合理的Vce是多少？如果晶体管的电流增益因素是β=200，而且集极电流为20mA，算出基极电流IB。然后根据IB和Vce来算出RB和RC。你推荐的最大输入信号为多少？这是一个实用的放大器电路吗？这是我遇到的一个不懂的题。第一个问题就一下把我难住了。第二个IB=IC/β=100μA。假设第一题我给的Vce是5V，算出RB=VCC/IB=200kΩ，RC=VCE/IC=250Ω。最大的输入信号的话我设想最大值接近Vcc，而且我猜这不是一个实用的放大器电路，但是我不清楚为什么，烦请大神们解释一下。
2018-09-26 15:13
老外的网站上看来的电路，请问为什么输出端是两个MOS管，为什么不用三极管呢？
2018-11-28 11:18
怎么解决IGBT模块在并联时的降额问题？
2021-04-08 06:21
电源设计问题及其测量需求是什么？怎么消除电压探头和电流探头之间的时间偏差？怎么消除探头零偏和噪声？
2021-05-08 06:47
NPN晶体管的关键特性。 当IC = 50mA时： 直流（DC）电流增益hFE = 60； 集电极-发射极最高饱和电压VCEsat = 300mV； 基极-发射极最高饱和电压VBEsat = 950mV
2018-09-06 15:25
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01
稳健低成本线性稳压器的设计准则有哪些
2021-03-11 07:40
如何实现输出调节功能以及不到 20mA 电流的一种低成本高效益的解决方案？
2021-03-11 08:12
前言全球知名半导体制造商ROHM利用多年来在消费电子领域积累的技术优势，正在积极推进面向工业设备领域的产品阵容扩充。在支撑"节能、创能、蓄能"技术的半导体功率元器件领域，ROHM实现了具有硅半导体无法得到的突破性特性的碳化硅半导体（SiC半导体）的量产。另外，在传统的硅半导体功率元器件领域，实现了从分立式半导体到IC全覆盖的融合了ROHM综合实力的复合型产品群。下面介绍这些产品中的一部分。
2019-07-08 08:06
