新一代高效率低VCEsat晶体管 恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支：超低VCEsat 晶体
2010-03-06 09:52
新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。
2011-09-16 10:13
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克代码：NXPI）近日推出业内首款双晶体管产品，具有低饱和电压特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平无引脚）封装。15种采用无引脚、薄型DFN2020-6 （SOT1118）封装的全新产品即将上市，它们的集电极电压（VCEO）为30 V、60 V和120 V （PBSS4112PAN）。
2013-03-25 15:48
FHA75T65A是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间做出来良好的权衡。
2023-05-09 11:17
为何？因为FHA40T65A具备高可靠性，拥有反向并行的快恢复二极管，Trench Field Stop Ⅱ technology（拖尾电流非常短，出色的Vcesat饱和压降，关断损耗低），拥有正温度系数。
2023-01-10 14:53
FHA40T65A是一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间做出来良好的权衡。
2023-01-10 14:42
为什么？因为FHA75T65A拥有高可靠性以及反向并行的快恢复二极管特性，Trench Field Stop technology（关断损耗低、出色的Vcesat饱和压降、拖尾电流非常短）并且拥有正温度系数。
2023-05-15 15:16
FHA40T65A是一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间做出来良好的权衡。
2023-02-19 10:52
IGBT芯片采用领先的Trench+Fieldstop技术，业内首次将压降芯片的工作结温提高到150℃，并大幅降低了其导通压降VCEsat（150℃下典型值约2.7V）。此芯片可以降低系统损耗提高效率，同时也扩展了系统安全工作区。
2020-12-09 10:37
为何？因为FHA40T65A具备高可靠性，拥有反向并行的快恢复二极管，Trench Field Stop Ⅱ technology（拖尾电流非常短，出色的Vcesat饱和压降，关断损耗低），拥有正温度系数。
2023-01-10 14:44
