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型号：NTR<b class='flag-s-7'>1P02T1G-VB</b> 品牌：微碧

**VBsemi NTR1P02T1G-VB 详细参数说明：**- **型号：** NTR1P02T1G-VB- **丝印：** VB2290- **品牌：** VBsemi- **封装

2024-04-02 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MGSF<b class='flag-s-7'>1P02ELT1G-VB</b> 品牌：微碧

MGSF1P02ELT1G-VB 丝印：VB1240 品牌：VBsemi**详细参数说明：**- 封装类型：SOT23- 沟道类型：N-Channel- 额定电压：20V- 额定电流：6A- RDS

2024-03-22 15:19 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MVGSF<b class='flag-s-7'>1N03LT1G-VB</b> 品牌：微碧

型号: MVGSF1N03LT1G-VB丝印: VB1240品牌: VBsemi参数:- 封装: SOT23- 类型: N-沟道MOSFET- 额定电压(V): 20- 最大电流(A): 6- 开态

2024-04-01 17:15 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>1NF20-VB</b> 品牌：微碧

### 产品简介1NF20-VB是一款单路N沟道场效应管（MOSFET），采用槽沟道技术，具有高达200V的漏极-源极电压（VDS）和1A的漏极电流（ID）能力。该器件采用SOT223封装，适用于

2024-07-09 14:15 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NVR<b class='flag-s-7'>1P20T1-VB</b> 品牌：微碧

**详细参数说明：**- **型号：** NVR1P20T1-VB- **丝印：** VB2290- **品牌：** VBsemi- **封装：** SOT23- **沟道类型：** P

2024-04-02 15:35 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MGSF<b class='flag-s-7'>1N02LT1G-VB</b> 品牌：微碧

VBsemi MGSF1N02LT1G-VB参数:- 封装：SOT23- 沟道类型：N沟道- 额定电压：20V- 额定电流：6A- RDS(ON)：24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V-

2024-03-22 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NTGS3443T<b class='flag-s-7'>1G-VB</b> 品牌：微碧

型号：NTGS3443T1G-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：- P沟道- 额定电压：-30V- 最大电流：-4.8A- 开态电阻 (RDS(ON))：49mΩ @ 10V, 54m

2023-12-15 09:32 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MVGSF<b class='flag-s-7'>1N02LT1G-VB</b> 品牌：微碧

MVGSF1N02LT1G-VB 丝印: VB1330 品牌: VBsemi**详细参数说明：**- 封装类型：SOT23- 沟道类型：N—Channel- 最大漏极电压：30V- 最大漏极电流

2024-04-01 17:14 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>1N60-VB</b> 品牌：微碧

VBsemi 1N60-VB TO251 MOSFET产品简介：1N60-VB TO251是一款单N沟道场效应管，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS）（±V

2024-07-09 13:52 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MGSF<b class='flag-s-7'>1N03LT1G-VB</b> 品牌：微碧

**MGSF1N03LT1G-VB 产品参数：**- 丝印： VB1330- 品牌： VBsemi- 封装： SOT23- 类型： N—Channel 沟道- 额定电压： 30V- 额定电流

2024-02-20 11:18 微碧半导体VBsemi 企业号