电子发烧友

型号：<b class='flag-s-7'>SVF</b>10N65F 品牌：

SVF10N65F 650v 10a大功率mos管特征■ 10A,650V,RDs(on)(典型值)=0.8Ω @Vcs=10V■ 开关速度快■ 低栅极电荷量■ 低反向传输电容■ 提升

2022-03-30 15:52 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>SVF</b>4N65F 品牌：

SVF4N65F 场效应管特点■ 4A,650V,RDs(on)(典型值)=2.3Ω @Vcs=10V■ 低栅极电荷量■ 低反向传输电容■ 开关速度快■ 提升了dv/dt能力骊微电子供应

2022-03-30 15:29 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>svf</b>7n65f 品牌：

svf7n65f场效应管7a 650v mos管特点■ 7A,650V,RDs(on)(典型值)=1.1Ω @Vcs=10V■ 低栅极电荷量■ 低反向传输电容■ 开关速度快■ 提升了dv/dt能力骊

2022-03-30 15:41 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>SVF</b>8N60AF-VB 品牌：微碧

### SVF8N60AF-VB MOSFET 产品简介**型号：** SVF8N60AF-VB  **封装类型：** TO220F  **配置：** 单极性N沟道

2025-09-19 11:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>SVF</b>7N65F-VB 品牌：微碧

### SVF7N65F-VB MOSFET 产品简介SVF7N65F-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 通道功率 MOSFET，设计用于高电压应用，其最大漏极-源极电压（V_DS）为

2025-09-19 11:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>SVF</b>840-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介**SVF840-VB** 是一款采用 **TO220F** 封装的 **单极 N-Channel MOSFET**，具有 **650V** 的最大漏源电压（V_DS

2025-09-19 11:46 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>SVF</b>4N65AF-VB 品牌：微碧

### SVF4N65AF-VB MOSFET 产品简介**型号：** SVF4N65AF-VB  **封装类型：** TO220F  **配置：** 单极性N沟道

2025-09-19 10:49 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>SVF</b>8N65F-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介（SVF8N65F-VB）SVF8N65F-VB 是一款高电压 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高电压和大电流应用设计。该 MOSFET 的最大漏源电压

2025-09-19 12:00 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>SVF</b>7N65AF-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介（SVF7N65AF-VB）SVF7N65AF-VB 是一款高电压 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高电压开关应用而设计。该型号的最大漏源电压（V_DS

2025-09-19 11:35 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>SVF</b>4N65EF-VB 品牌：微碧

### 产品简介：SVF4N65EF-VBSVF4N65EF-VB是一款高电压N沟道MOSFET，采用TO220F封装，专为高电压应用设计，具有650V的漏源电压（VDS）和最大漏极电流（ID）为

2025-09-19 10:54 微碧半导体VBsemi 企业号