漏电流ID上升到IR时，其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR，TVS管被击穿。随着峰值脉冲电流的出现，流过TVS管的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的箝位
2018-11-02 11:45
我的安全电压。Vr是开始工作的电压，Vr之前都是截止的。那Vr到Vbr之间TVS工作在什么状态？？以及还是拿不准GS保护用ZD做还是用TVS做，用ZD总担心响应时间太长把GS击穿了。因为SiC MOS的DS耐压虽然特
2018-03-20 16:56
到IR时，其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR，TVS管被击穿。随着峰值脉冲电流的出现，流过TVS管的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的箝位电压以下。尔后
2018-11-06 10:29
的电流，由原来的反向漏电流ID上升到IR时，其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR，TVS管被击穿。随着峰值脉冲电流的出现，流过TVS管的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极
2018-11-19 15:23
`TVS 的主要参数及选用1 最小击穿电压VBR最小击穿电压VBR 等于1 mA 的测试电流通过TVS时，TVS 两极的
2019-03-14 13:30
TVS二极管器件的主要参数（1）最小击穿电压VBR当TVS流过规定的电流时，TVS两端的电压称为最小击穿电压，在此区域，TVS
2019-05-14 14:58
时，其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR，TVS被击穿。随着峰值脉冲电流的出现，流过TVS的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的最大箝位电压以下。尔后，随着
2018-11-27 13:46
，反向特性为典型的PN结雪崩器件。在浪涌电压的作用下，TVS两极间的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR，而被击穿。随着击穿电流的出现，流过TVS的电流将达到峰值脉冲电流IPP，同时在其
2017-12-26 11:25
W等多种型号。 2 TVS 的主要参数及选用 2.1 最小击穿电压VBR 最小击穿电压VBR 等于1 mA 的测试电流通过TVS时，
2017-05-27 15:14
我想选用一个TVS对PFC的MOS管进行保护，PFC恒定输出390VDC，启动过冲会达到420VDC，功率在1200W,现在正在苦恼选择这个TVS，百度了一下TVS相关资料，里面有几个参数：1. Vrwm2.
2018-12-24 09:42
