本文基于仿真和实验方法，开展了 100VN 沟槽 MOSFET 的设计研究工作。通过沟槽深度，体区注入剂量和栅氧化层厚度拉偏，获得了对击穿电压，阈值电压和导通电阻的影响规律并对机理进行了分析，仿真
2022-10-08 09:48
，IGBT、超结MOSFET等中高压产品也受到了更多关注，不过面对第三代半导体在新能源领域的强势冲击，未来增速面临放缓迹象。 然而在低压领域的硅基MOSFET市场，SGT MOSFET正在获得快速增长。SGT
2024-08-02 00:13
对于现代的数据与电信电源系统，更高的系统效率和功率密度已成为核心焦点，因为小型高效的电源系统意味着节省空间和电费账单。
2011-07-14 09:15
关键词：MOSFET , NXP , PBSM5240PF , Trench 恩智浦半导体（NXP）推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道
2019-01-07 12:53
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF
2011-08-16 08:51
沟槽（Trench）MOSFET 是一种新型垂直结构的 MOSFET 器件，是从传统平面 MOSFET 结构基础上优化发展而来，
2022-10-08 09:37
的Trench MOSFET。 SGT MOSFET全称Shielded Gate Trench MOSFET，即屏
2025-07-12 00:15
扬杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET产品，采用先进的SGT （Shield Gate Trench MOSFET） 制程工艺，针对电机驱动、BMS等应用设计，优化BVdss、Rdson、Qg等参数性能同
2022-04-08 15:01
的功率密度和工作频率。Trench MOSFET采用腐蚀挖沟槽的方法将平面型VD-MOSFET的“T”字形导电通路缩短为两条平行的垂直型导电通路，起到了去除两相邻PN结间的JFET电阻作用，从而减小了器件的导通电阻；
2021-10-15 14:29
