### 4N0609-VB TO263 MOSFET 产品简介4N0609-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO263 封装。它具有优秀的性能特征，包括低
2024-11-13 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4N0607-VB TO263 产品简介4N0607-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO263封装。该产品具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的电力管理和开关
2024-11-13 14:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4P0404-VB TO263 MOSFET 产品简介4P0404-VB 是一款单 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO263 封装。它具有负漏极-源极电压
2024-11-13 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**50N06-VB TO263**50N06-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO263封装。它具有漏源极电压（VDS）为60V的特性，适用于中功率电路设计。采用
2024-11-14 10:43 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、7N60H-VB TO263型号的产品简介7N60H-VB是一款高压单N沟道功率MOSFET，适用于需要高电压和较高电流处理能力的应用。它采用Plannar技术制造，封装在TO263外壳
2024-11-20 17:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 230N06L-VB TO263 产品简介230N06L-VB TO263 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用了沟槽技术制造，具有低导通电阻和高电流处理能力。封装为TO263，适用于
2024-07-10 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi 19NF20-VB TO263 MOSFET产品简介：19NF20-VB TO263是一款单N沟道场效应管，具有200V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS
2024-07-08 17:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**40N01-VB TO263** 是一款单N沟道MOSFET，具有高性能和可靠性。采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高电流处理能力。该器件适用于各种高功率应用，具有优异
2024-11-07 17:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**65C6380-VB TO263** 是一款高压单N沟道功率MOSFET，采用TO263封装。它具有高电压承受能力和稳定的性能特性，适用于要求高效能和可靠性的功率控制和开关
2024-11-16 14:01 微碧半导体VBsemi 企业号
### 22NM60N-VB TO263 产品简介22NM60N-VB TO263 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET，设计用于高压和高电流应用。采用了 SJ_Multi-EPI 技术，具有低
2024-07-10 14:10 微碧半导体VBsemi 企业号
